[发明专利]可控硅控制装置及方法在审
| 申请号： | 201810679551.3 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN108880523A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 余久平 | 申请（专利权）人： | 北京小米移动软件有限公司;北京智米科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/725 | 分类号： | H03K17/725 |
| 代理公司： | 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 | 代理人： | 孙德崇 |
| 地址： | 100085 北京市海淀区清河*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开是关于一种可控硅控制装置及方法。该装置包括：过零触发光耦和可控硅，可控硅、负载以及交流电源串联连接；过零触发光耦与交流电源以及可控硅的控制极连接，并接收来自脉冲发生装置的脉冲宽度调制信号，其中，过零触发光耦在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到交流电源提供的交流电的过零点时，向可控硅的控制极提供触发电压，以使可控硅导通。本公开实施例所提供的可控硅控制装置及方法，在交流电的过零点打开或关闭可控硅，对装置的功率进行调整，不会为装置带来额外的电磁干扰，控制可控硅的方式简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 可控硅控制装置 过零触发光耦 交流电源 交流电 脉冲宽度调制信号 过零点 控制极 脉冲发生装置 可控硅导通 触发电压 电磁干扰 高电平 检测 | ||
【主权项】：
1.一种可控硅控制装置，其特征在于，所述装置包括：过零触发光耦和可控硅，所述可控硅、负载以及交流电源串联连接；所述过零触发光耦与所述交流电源以及所述可控硅的控制极连接，并接收来自脉冲发生装置的脉冲宽度调制信号，其中，在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电源提供的交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压，以使所述可控硅导通；所述过零触发光耦为能够检测到交流电的过零点的光耦。
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