[发明专利]可控硅控制装置及方法

权利要求书

1.一种可控硅控制装置，其特征在于，所述装置包括：过零触发光耦和可控硅，

所述可控硅、负载以及交流电源串联连接；

所述过零触发光耦与所述交流电源以及所述可控硅的控制极连接，并接收来自脉冲发生装置的脉冲宽度调制信号，其中，在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电源提供的交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压，以使所述可控硅导通；

所述过零触发光耦为能够检测到交流电的过零点的光耦。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述脉冲宽度调制信号的频率小于或等于所述交流电的频率。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可控硅包括：第一单向可控硅和第二单向可控硅，

所述第一单向可控硅和所述第二单向可控硅反向并联后，与所述负载以及所述交流电源串联，

其中，所述第一单向可控硅的阳极连接到所述第二单向可控硅的阴极，所述第一单向可控硅的阴极连接到所述第二单向可控硅的阳极。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述可控硅包括双向可控硅。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，

所述过零触发光耦的第一端用于接收所述脉冲宽度调制信号，所述过零触发光耦的第二端接地，所述过零触发光耦的第三端连接到所述第二单向可控硅的控制极，所述过零触发光耦的第四端连接到所述第一单向可控硅的控制极；

其中，在所述过零触发光耦接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电的过零点时，所述过零触发光耦向所述第一单向可控硅的控制极、所述第二单向可控硅的控制极提供触发电压，以使所述第一单向可控硅或所述第二单向可控硅导通。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，

所述第一电阻和所述第一二极管并联后，连接到所述第二单向可控硅的控制极和所述第二单向可控硅的阴极之间；

所述第二电阻和所述第二二极管并联后，连接到所述第一单向可控硅的控制极和所述第一单向可控硅的阴极之间。

7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，

所述过零触发光耦的第一端用于接收所述脉冲宽度调制信号，所述过零触发光耦的第二端接地，所述过零触发光耦的第三端和第四端分别连接到所述双向可控硅的阳极和控制极；

其中，在所述过零触发光耦接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电的过零点时，所述过零触发光耦向所述双向可控硅的控制极提供触发电压，以使所述双向可控硅导通。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第三电阻、第四电阻和第三二极管，

所述第三电阻和所述第三二极管并联后，连接到所述双向可控硅的控制极和阴极之间；

所述第四电阻连接到所述双向可控硅的阳极和所述过零触发光耦的第三端之间。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第五电阻和电容器，

所述第五电阻和所述电容器串联后，并联连接到所述可控硅的两端。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述过零触发光耦在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平时，对所述交流电进行过零点检测，并在检测到所述交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压。

11.一种可控硅控制方法，其特征在于，应用于可控硅控制装置中，所述装置包括过零触发光耦和可控硅，所述方法包括：

在所述过零触发光耦接收到的脉冲宽度调制信号为高电平时，对交流电源提供的交流电进行过零点检测；

在检测到所述交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压。