[发明专利]可控硅控制装置及方法

说明书

本公开是关于一种可控硅控制装置及方法。该装置包括：过零触发光耦和可控硅，可控硅、负载以及交流电源串联连接；过零触发光耦与交流电源以及可控硅的控制极连接，并接收来自脉冲发生装置的脉冲宽度调制信号，其中，过零触发光耦在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到交流电源提供的交流电的过零点时，向可控硅的控制极提供触发电压，以使可控硅导通。本公开实施例所提供的可控硅控制装置及方法，在交流电的过零点打开或关闭可控硅，对装置的功率进行调整，不会为装置带来额外的电磁干扰，控制可控硅的方式简单，成本低。

技术领域

本公开涉及自动控制技术领域，尤其涉及一种可控硅控制装置及方法。

背景技术

在自动控制系统中，可控硅(Silicon Controlled Rectifier，简称SCR，也称晶闸管)可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。相关技术中，通过调相的方式对可控硅的导通进行控制，以调节电路的功率。但这种方式会带来电磁干扰(Electromagnetic Interference，简称EMI)等问题。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种可控硅控制装置及方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种可控硅控制装置，所述装置包括：过零触发光耦和可控硅，

所述可控硅、负载以及交流电源串联连接；

所述过零触发光耦与所述交流电源以及所述可控硅的控制极连接，并接收来自脉冲发生装置的脉冲宽度调制信号，其中，在接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电源提供的交流电的过零点时，向所述可控硅的控制极提供触发电压，以使所述可控硅导通。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述脉冲宽度调制信号的频率小于或等于所述交流电的频率。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述可控硅包括：第一单向可控硅和第二单向可控硅，

所述第一单向可控硅和所述第二单向可控硅反向并联后，与所述负载以及所述交流电源串联，

其中，所述第一单向可控硅的阳极连接到所述第二单向可控硅的阴极，所述第一单向可控硅的阴极连接到所述第二单向可控硅的阳极。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述可控硅包括双向可控硅。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述过零触发光耦的第一端用于接收所述脉冲宽度调制信号，所述过零触发光耦的第二端接地，所述过零触发光耦的第三端连接到所述第二单向可控硅的控制极，所述过零触发光耦的第四端连接到所述第一单向可控硅的控制极；

其中，在所述过零触发光耦接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电的过零点时，所述过零触发光耦向所述第一单向可控硅的控制极、所述第二单向可控硅的控制极提供触发电压，以使所述第一单向可控硅或所述第二单向可控硅导通。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述装置还包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管和第二二极管，

所述第一电阻和所述第一二极管并联后，连接到所述第二单向可控硅的控制极和所述第二单向可控硅的阴极之间；

所述第二电阻和所述第二二极管并联后，连接到所述第一单向可控硅的控制极和所述第一单向可控硅的阴极之间。

对于上述装置，在一种可能的实现方式中，所述过零触发光耦的第一端用于接收所述脉冲宽度调制信号，所述过零触发光耦的第二端接地，所述过零触发光耦的第三端和第四端分别连接到所述双向可控硅的阳极和控制极；

其中，在所述过零触发光耦接收到的脉冲宽度调制信号为高电平、且检测到所述交流电的过零点时，所述过零触发光耦向所述双向可控硅的控制极提供触发电压，以使所述双向可控硅导通。