[发明专利]影像感测器装置结构及其形成方法有效
申请号: | 201810661608.7 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN109817649B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 江彦廷;陈春元;曾晓晖;王昱仁;丁世汎;吴尉壮;刘人诚;杨敦年 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板,且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域,且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域,且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。 | ||
搜索关键词: | 影像 感测器 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测器装置结构,包括:一基板,其中该基板掺杂有一第一导电类型的杂质;一光感测区域,形成于该基板中,其中该光感测区域掺杂有与该第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质;一掺杂区域,延伸进入该光感测区域,其中该掺杂区域掺杂有该第一导电类型的杂质;以及多个滤色器,形成于该掺杂区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的