[发明专利]影像感测器装置结构及其形成方法

说明书

本申请实施例提供一种影像感测器装置结构及其形成方法。所述影像感测器装置结构包括一基板，且所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构包括形成于基板中的一光感测区域，且所述光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构还包括延伸进入光感测区域的一掺杂区域，且所述掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质。所述影像感测器装置结构也包括形成于掺杂区域上的多个滤色器。

技术领域

本发明实施例涉及影像感测器装置结构及其形成方法，且特别涉及一种光感测区域中具有掺杂层的影像感测器装置结构。

背景技术

半导体装置已运用在各种电子应用上，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他的电子设备。半导体装置的制造通常会依序将材料的各绝缘层或介电层、导电层、及半导体层沉积在半导体基板上，并且利用光刻工艺将各材料层图案化以形成电路元件和其上的组件。通常会将许多集成电路制造于单一的半导体晶圆上，并且晶圆上单独的晶粒沿着分割线(scribe line)在集成电路之间进行切割而分割。举例而言，单独的晶粒通常分别被封装在多晶片模块或其他类型的封装中。

影像感测器用于将聚焦在影像感测器上的光学影像转换为电子信号。影像感测器包括数组光检测元件，例如光二极管，且一光检测元件被配置以产生相应于光检测元件上光照射(light impinging)强度的电子信号。电子信号用于将相应的影像显示于监控器上，或用于提供关于光学影像的信息。

虽然现有的影像感测器装置及其形成方法通常已经足以达到其预期目的，但它们尚未在所有方面完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一实施例，提供一种影像感测器装置结构，包括：一基板，所述基板掺杂有一第一导电类型的杂质；一光感测区域，形成于基板中，其中光感测区域掺杂有与第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质；一掺杂区域，延伸进入光感测区域，其中掺杂区域掺杂有第一导电类型的杂质；以及多个滤色器，形成于掺杂区域上。

根据本发明的另一实施例，提供一种影像感测器装置结构，包括：一p-型基板，其中p-型基板具有一第一表面和一第二表面；一内连线结构，形成于p-型基板的第一表面上；一n-型光感测区域，形成于基板中；一p-型掺杂区域，从基板的第二表面插入n-型光感测区域，其中p-型掺杂区域包括一p-型掺杂层和形成于p-型掺杂层之上的一氧化层；以及一深隔离环，围绕(surrounding)n-型光感测区域，其中深隔离环包括p-型掺杂层和氧化层。

又根据本发明的另一实施例，提供一种影像感测器装置结构的形成方法，包括：形成一内连线结构于一基板的一第一表面上；形成一光感测区域于基板中；从基板的一第二表面形成一沟槽于光感测区域中；形成一掺杂层于沟槽中；形成一氧化层于沟槽中和掺杂层上以形成一掺杂区域，其中掺杂区域插入光感测区域。

附图说明

为让本发明实施例的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合附图，作详细说明如下：

本发明实施例可配合图式及详细说明阅读以便了解。要强调的是，依照工业上的标准实施，各个部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了清楚的讨论，可能任意的放大或缩小各个部件的尺寸。

图1A～图1F为根据本发明一些实施例显示形成影像感测器装置结构的各阶段的剖面表示图。

图2A～图2D为根据本发明一些实施例显示各种影像感测器装置结构的俯视表示图。

图3A～图3E为根据本发明一些实施例显示形成影像感测器装置结构的各阶段的剖面表示图。

图3E’为根据本发明一些实施例显示经修饰的影像感测器装置结构的剖面表示图。

图4A～图4C为根据本发明一些实施例显示各种影像感测器装置结构的俯视表示图。