[发明专利]影像感测器装置结构及其形成方法

权利要求书

1.一种影像感测器装置结构，包括：

一基板，其中该基板掺杂有一第一导电类型的杂质；

一光感测区域，形成于该基板中，其中该光感测区域掺杂有与该第一导电类型不同的一第二导电类型的杂质；

一掺杂区域，延伸进入该光感测区域，其中该掺杂区域掺杂有该第一导电类型的杂质，其中该掺杂区域包括一掺杂层及一氧化层，且该掺杂层位于该氧化层与该光感测区域之间；以及

多个滤色器，形成于该掺杂区域上。

2.如权利要求1所述的影像感测器装置结构，其中该基板掺杂有p-型导电性，该光感测区域掺杂有n-型导电性，且该掺杂区域掺杂有p-型导电性。

3.如权利要求1所述的影像感测器装置结构，其中该光感测区域包括具有一第一掺杂浓度的一第一部份和具有一第二掺杂浓度的一第二部分，该第二掺杂浓度高于该第一掺杂浓度，且该掺杂区域与该第一部份直接接触。

4.如权利要求3所述的影像感测器装置结构，其中该掺杂区域具有一第三掺杂浓度，且该第三掺杂浓度高于该第二掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的影像感测器装置结构，还包括：一深隔离环，围绕该光感测区域，其中该掺杂区域具有一第一深度，且该深隔离环具有大于该第一深度的一第二深度。

6.如权利要求5所述的影像感测器装置结构，其中该掺杂层与该基板直接接触，且该氧化层位于该掺杂层之上。

7.如权利要求6所述的影像感测器装置结构，其中该深隔离环还包括一高介电常数介电层，位于该掺杂层和该氧化层之间。

8.如权利要求1所述的影像感测器装置结构，还包括：多个金属网格结构，位于该氧化层和该光感测区域之上。

9.如权利要求1所述的影像感测器装置结构，还包括：

一晶体管装置，形成于该基板之上；以及

一内连线结构，形成于该晶体管装置上。

10.一种影像感测器装置结构，包括：

一p-型基板，其中该p-型基板具有一第一表面和一第二表面；一内连线结构，形成于该p-型基板的该第一表面上；

一n-型光感测区域，形成于该基板中；

一p-型掺杂区域，从该基板的该第二表面插入该n-型光感测区域，其中该p-型掺杂区域包括一p-型掺杂层和形成于该p-型掺杂层之上的一氧化层；以及

一深隔离环，围绕该n-型光感测区域，其中该深隔离环包括该p-型掺杂层和该氧化层。

11.如权利要求10所述的影像感测器装置结构，其中该掺杂区域具有一第一深度，且该深隔离环具有大于该第一深度的一第二深度。

12.如权利要求10所述的影像感测器装置结构，还包括：

多个滤色器，形成于该氧化层上；以及

多个微透镜结构，形成于该多个滤色器上。

13.如权利要求10所述的影像感测器装置结构，其中该深隔离环还包括位于该p-型掺杂层之下的一氧化层。

14.如权利要求10所述的影像感测器装置结构，其中该深隔离环还包括位于该p-型掺杂层和该氧化层之间的一高介电常数介电层。

15.如权利要求10所述的影像感测器装置结构，其中该n-型光感测区域包括具有一第一掺杂浓度的一第一部分和具有一第二掺杂浓度的一第二部分，该第二掺杂浓度大于该第一掺杂浓度，且该n-型掺杂区域与该第一部分直接接触。