[发明专利]一种提高方阻均匀性的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种提高方阻均匀性的扩散工艺，包括以下步骤：(1)升温：将制绒后的硅片插入石英舟中，上舟，进舟后炉管升温至750℃～795℃；(2)干氧氧化：通入干氧进行氧化，干氧流量1800～2200ml/min，氧化时间100‑sec；(3)湿氧氧化：通入湿氧进行氧化，湿氧流量1400～1600ml/min，氧化时间200sec；(4)扩散:通入干氧、小氮和大氮进行沉结扩散，干氧流量600～900ml/min，小氮流量1200～1500ml/min，大氮流量为10000ml/min～15000ml/min，在温度750℃～795℃下进行扩散1200sec，本发明提供一种扩散工艺质量好、均匀性高且扩散的硅片边缘与四周的方阻均匀性好的提高方阻均匀性的扩散工艺。

主权项

1.一种提高方阻均匀性的扩散工艺，包括以下步骤：(1)升温：将制绒后的硅片插入石英舟中，上舟，进舟后炉管升温至750℃～795℃；(2)干氧氧化：通入干氧进行氧化，干氧流量1800～2200ml/min，氧化时间100ecs；(3)湿氧氧化：通入湿氧进行氧化，湿氧流量1400～1600ml/min，氧化时间200sec；(4)扩散:通入干氧、小氮和大氮进行沉结扩散，干氧流量600～900ml/min，小氮流量1200～1500ml/min，大氮流量为10000ml/min～15000ml/min，在温度750℃～795℃下进行扩散1200sec；(5)升温推进，将炉管温度升至800℃～830℃，推进时间为500sec～700sec；(6)干氧氧化：通入干氧再次进行氧化，干氧流量1200～1600ml/min，大氮流量20000～25000ml/min，在温度820℃～840℃下氧化200sec；(7)湿氧氧化：通入湿氧再次进行氧化，湿氧流量1200～1600ml/min，大氮流量20000～25000ml/min，在温度820℃～840℃下氧化550sec。