[发明专利]一种提高方阻均匀性的扩散工艺

权利要求书

1.一种提高方阻均匀性的扩散工艺，包括以下步骤：(1)升温：将制绒后的硅片插入石英舟中，上舟，进舟后炉管升温至750℃～795℃；(2)干氧氧化：通入干氧进行氧化，干氧流量1800～2200ml/min，氧化时间100sec ；(3)湿氧氧化：通入湿氧进行氧化，湿氧流量1400～1600ml/min，氧化时间200sec；(4)扩散:通入干氧、小氮和大氮进行沉结扩散，干氧流量600～900ml/min，小氮流量1200～1500ml/min，大氮流量为10000ml/min～15000ml/min，在温度750℃～795℃下进行扩散1200sec；(5)升温推进，将炉管温度升至800℃～830℃，推进时间为500sec～700sec；(6)干氧氧化：通入干氧再次进行氧化，干氧流量1200～1600ml/min，大氮流量20000～25000ml/min，在温度820℃～840℃下氧化200sec；(7)湿氧氧化：通入湿氧再次进行氧化，湿氧流量1200～1600ml/min，大氮流量20000～25000ml/min，在温度820℃～840℃下氧化550sec，所述的硅片的片间距为1.0～2.0mm，扩散后所得硅片的方阻值为85～130Ω/□，扩散后硅片的片间方阻不均匀度小于3％，扩散管炉口和炉尾温区温度差值小于或等于10℃。

2.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(2)工艺参数为：干氧流量1900～2100ml/min，氧化时间100sec，生长一层纳米级厚度的SiO2。

3.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(3)工艺参数为：湿氧流量1450～1550ml/min，氧化时间200sec，再生长一层纳米级厚度的SiO2。

4.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(4)的工艺参数为：通入干氧流量700～800ml/min，小氮流量1300～1400ml/min，大氮流量为11000ml/min～14000ml/min，在温度770℃～793℃下进行扩散1200sec。

5.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(6)工艺参数为：通入干氧流量1300～1500ml/min，大氮流量21000～24000ml/min，在温度825℃～835℃下氧化200sec。

6.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(7)工艺参数为：湿氧流量1300～1500ml/min，大氮流量21000～24000ml/min，在温度825℃～835℃下氧化550sec。

7.根据权利要求1所述的一种提高方阻均匀性的扩散工艺，其特征在于：所述的硅片为P型多晶硅片，所述的P型多晶硅片的电阻率为1Ω·cm～3Ω·cm，厚度为100μm～200μm。