[发明专利]超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法

摘要

一种超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，包括以下步骤：选择基板衬底，清洗基板衬底，抽真空，加热基板衬底，通入氩气和氢气的混合气体，将乙硼烷引入沉积室内，加热基板衬底至400℃以上，使单质B沉积到基板上生成无定形B薄膜，降温至常温，将B薄膜基板和高纯镁颗粒放入密闭坩埚内，在高纯氩气下退火10min，在退火过程中，以20℃/min的速度升温至800‑1000℃，然后保温30‑40min，自然降温至室温。该制备方法所制备的MgB2超导体致密度高、纯度高，同时步骤简单，易于操作，成本低，不污染环境，实用价值高。

主权项

1.一种超导电缆用二硼化镁超导薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)选择基板衬底，(2)清洗基板衬底5分钟，去除油污，使用氮气吹干后保存，(3)启动机械泵将沉积室抽低真空，然后启动分子泵抽高真空，加热基板衬底，通入氩气和氢气的混合气体，使沉积室内气压保持在0.01Pa，保持时间为10‑15分钟，将乙硼烷引入沉积室内，保持气压为1000‑5000Pa，加热基板衬底至400℃以上，使单质B沉积到基板上生成无定形B薄膜，沉积时间为10‑30min，以10℃/min的速度降温至常温，完成B薄膜的制备，(4)将B薄膜基板和高纯镁颗粒放入密闭坩埚内，镁颗粒的直径为0.3‑0.5cm，在高纯氩气下退火10min，退火温度为800‑1000℃，在退火过程中，以20℃/min的速度升温至800‑1000℃，然后保温30‑40min，自然降温至室温。