[发明专利]漏电测试方法有效
| 申请号： | 201810650410.9 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108831843B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 费腾;李桂花;蔚倩倩;杜晓琼;仝金雨 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种漏电测试方法，包括：提供一测试样品，所述待测试样品包括绝缘层，所述绝缘层内形成有漏电测试结构，所述漏电测试结构包括：第一梳状金属线、第二梳状金属线，所述第一梳状金属线包括多个平行排列的第一梳齿金属线，所述第二梳状金属线包括多个平行排列的第二梳齿金属线，所述第一梳齿金属线与所述第二梳齿金属线相互间隔平行排列；刻蚀所述测试样品，在所述测试样品内形成一凹槽，所述凹槽的一侧侧壁至少暴露出所述多个第一梳齿金属线的端部；通过观察所述凹槽的侧壁暴露出的所述多个第一梳齿金属线端部的电压对比度，定位失效位置。上述方法能够在不破坏测试样品表面的情况下定位失效位置。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种漏电测试方法，其特征在于，包括：提供一待测试样品，所述待测试样品包括绝缘层，所述绝缘层内形成有漏电测试结构，所述漏电测试结构包括：第一梳状金属线、第二梳状金属线，所述第一梳状金属线包括多个平行排列的第一梳齿金属线，所述第二梳状金属线包括多个平行排列的第二梳齿金属线，所述第一梳齿金属线与所述第二梳齿金属线相互间隔平行排列；刻蚀所述测试样品，在所述测试样品内形成一凹槽，所述凹槽的一侧侧壁至少暴露出所述多个第一梳齿金属线的端部；通过观察所述凹槽的侧壁暴露出的所述多个第一梳齿金属线端部的电压对比度，定位失效位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
