[发明专利]漏电测试方法有效
| 申请号: | 201810650410.9 | 申请日: | 2018-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN108831843B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
| 发明(设计)人: | 费腾;李桂花;蔚倩倩;杜晓琼;仝金雨 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 漏电 测试 方法 | ||
1.一种漏电测试方法,其特征在于,包括:
提供一待测试样品,所述待测试样品包括绝缘层,所述绝缘层内形成有漏电测试结构,所述漏电测试结构包括:第一梳状金属线、第二梳状金属线,所述第一梳状金属线包括多个平行排列的第一梳齿金属线,所述第二梳状金属线包括多个平行排列的第二梳齿金属线,所述第一梳齿金属线与所述第二梳齿金属线相互间隔平行排列;
刻蚀所述测试样品,在所述测试样品内形成一凹槽,所述凹槽的一侧侧壁至少暴露出所述多个第一梳齿金属线的端部;
通过观察所述凹槽的侧壁暴露出的所述多个第一梳齿金属线端部的电压对比度,定位失效位置。
2.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,所述凹槽的侧壁还同时暴露出所述多个第二梳齿金属线的端部;同时观察所述多个第一梳齿金属线端部和多个第二梳齿金属线端部的电压对比度,定位失效位置。
3.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,所述多个第一梳齿金属线的一端均连接至第一梳柄金属线;所述第二梳齿金属线的一端均连接至第二梳柄金属线;所述第一梳齿金属线和第二梳齿金属线位于所述第一梳柄金属线和第二梳柄金属线之间。
4.根据权利要求3所述的漏电测试方法,其特征在于,所述凹槽切断所述第一梳柄金属线,所述凹槽的长度方向垂直所述第一梳齿金属线。
5.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,所述凹槽的长度方向垂直所述第一梳齿金属线;所述漏电测试方法还包括:在测试过程中,逐次增大所述凹槽的宽度,逐渐暴露出不同位置处的第一梳齿金属线端部,以准确定位第一梳齿金属线的具体失效点。
6.根据权利要求5所述的漏电测试方法,其特征在于,每次增大所述凹槽宽度后,暴露出的第一梳齿金属线端部位置距离前次暴露出的第一梳柄金属线端部位置1μm~10μm。
7.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,所述第一梳齿金属线包括两层第一梳齿子金属线,所述两层第一梳齿子金属线之间通过第一导电通孔连接;所述第二梳齿金属线包括两层第二梳齿子金属线,所述两层第二梳齿子金属线之间通过第二导电通孔连接。
8.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,采用聚焦离子束刻蚀所述测试样品,形成所述凹槽。
9.根据权利要求1所述的漏电测试方法,其特征在于,在聚焦离子束设备的电子束扫描条件下,观察所述电压对比度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





