[发明专利]漏电测试方法有效
| 申请号: | 201810650410.9 | 申请日: | 2018-06-22 |
| 公开(公告)号: | CN108831843B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
| 发明(设计)人: | 费腾;李桂花;蔚倩倩;杜晓琼;仝金雨 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 漏电 测试 方法 | ||
本发明涉及一种漏电测试方法,包括:提供一测试样品,所述待测试样品包括绝缘层,所述绝缘层内形成有漏电测试结构,所述漏电测试结构包括:第一梳状金属线、第二梳状金属线,所述第一梳状金属线包括多个平行排列的第一梳齿金属线,所述第二梳状金属线包括多个平行排列的第二梳齿金属线,所述第一梳齿金属线与所述第二梳齿金属线相互间隔平行排列;刻蚀所述测试样品,在所述测试样品内形成一凹槽,所述凹槽的一侧侧壁至少暴露出所述多个第一梳齿金属线的端部;通过观察所述凹槽的侧壁暴露出的所述多个第一梳齿金属线端部的电压对比度,定位失效位置。上述方法能够在不破坏测试样品表面的情况下定位失效位置。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种漏电测试方法。
背景技术
集成电路制造技术是一个复杂的工艺,技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸,即关键尺寸(critical dimension,CD),随着半导体技术的不断发展,器件的关键尺寸越来越小,器件之间的距离也越来越小。两个当半导体制作工艺过程中出现任何异常都将导致元器件之间出现短路或者漏电,那么半导体芯片上元器件之间的漏电便成为一项必须严格监测的项目。
在半导体器件的制作中,通常使用多层金属互连线结构使得各种器件电学连接,所述金属互连线之间利用绝缘性能良好的绝缘层进行电隔离,并且互连线通常决定了集成电路的良率和可靠性。随着集成电路密度的不断提高,互连尺寸在横向和垂直方向均减小,一些很小的金属线间介质缺陷均容易造成漏电问题,导致半导体器件失效。
现有技术中,通常会采用梳状结构的金属线作为金属间绝缘层的绝缘可靠性的测试结构。在检测过程中,需要将样品表面研磨到接近待检测金属层表面的地方,使得样品的金属线失去表面氧化层的保护,这种方法会破坏样品表面,对后续失效分析产生不利的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,提供一种漏电测试方法,在不破坏样品表表面的前提下,实现漏电测试。
本发明提供一种漏电测试方法,包括:提供一待测试样品,所述待测试样品包括绝缘层,所述绝缘层内形成有漏电测试结构,所述漏电测试结构包括:第一梳状金属线、第二梳状金属线,所述第一梳状金属线包括多个平行排列的第一梳齿金属线,所述第二梳状金属线包括多个平行排列的第二梳齿金属线,所述第一梳齿金属线与所述第二梳齿金属线相互间隔平行排列;刻蚀所述测试样品,在所述测试样品内形成一凹槽,所述凹槽的一侧侧壁至少暴露出所述多个第一梳齿金属线的端部;通过观察所述凹槽的侧壁暴露出的所述多个第一梳齿金属线端部的电压对比度,定位失效位置。
可选的,所述凹槽的侧壁还同时暴露出所述多个第二梳齿金属线的端部;同时观察所述多个第一梳齿金属线端部和多个第二梳齿金属线端部的电压对比度,定位失效位置。
可选的,所述多个第一梳齿金属线的一端均连接至第一梳柄金属线;所述第二梳齿金属线的一端均连接至第二梳柄金属线;所述第一梳齿金属线和第二梳齿金属线位于所述第一梳柄金属线和第二梳柄金属线之间。
可选的,所述凹槽切断所述第一梳柄金属线,所述凹槽的长度方向垂直所述第一梳齿金属线。
可选的,所述凹槽的长度方向垂直所述第一梳齿金属线;所述漏电测试方法还包括:在测试过程中,不断增大所述凹槽的宽度,逐渐暴露出不同位置处的第一梳齿金属线端部,以准确定位第一梳齿金属线的具体失效点。
可选的,每次增大所述凹槽宽度后,暴露出的第一梳齿金属线端部位置距离前次暴露出的第一梳柄金属线端部位置1μm~10μm。
可选的,所述第一梳齿金属线包括两层第一梳齿子金属线,所述两层第一梳齿子金属线之间通过第一导电通孔连接;所述第二梳齿金属线包括两层第二梳齿子金属线,所述两层第二梳齿子金属线之间通过第二导电通孔连接。
可选的,采用聚焦离子束刻蚀所述测试样品,形成所述凹槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





