[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810623209.1 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807624A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法。其中正装LED芯片包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。本发明在衬底的两侧形成反射层，激发能效低的光都被第一布拉格反射层和第二反射层过滤掉，从而提升荧光粉的转换效率，进而提高正装LED芯片的显色指数，降低色温；同时能够减少封装后LED芯片的短波长光发射，减少对人眼的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 反射层 衬底 正装 布拉格反射层 发光结构 反射率 源层 荧光粉 衬底表面 第二电极 第一电极 短波长光 显色指数 转换效率 能效 人眼 色温 制作 封装 过滤 发射 激发 损害 | ||
【主权项】：
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：衬底；设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810623209.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光元件
- 下一篇：一种AlN缓冲层结构及其制备方法
