[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种正装LED芯片及其制作方法。其中正装LED芯片包括衬底，设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。本发明在衬底的两侧形成反射层，激发能效低的光都被第一布拉格反射层和第二反射层过滤掉，从而提升荧光粉的转换效率，进而提高正装LED芯片的显色指数，降低色温；同时能够减少封装后LED芯片的短波长光发射，减少对人眼的损害。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种正装LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，正装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有正装LED芯片的量子阱在生长过程中有10-12层，而每一层量子阱会存在差异，使得量子阱的有效带隙宽度减小，使激发峰值偏移，半波宽变宽，导致荧光粉的效能不能得到很好的激发，影响正装LED芯片的发光效率。

正装LED芯片在封装时，一般将正装LED芯片固定在支架上，然后进行打线，打线后灌入荧光粉和胶水，再经过170度烘烤，最终制成LED灯珠。其中，荧光粉与正装LED芯片的配比会影响到封装后正装LED芯片的亮度与色温，颜色越暖对于正装LED芯片波长的集中度越高。荧光粉的半波宽对于正装LED芯片的显色性Ra、颜色饱和度、色纯度影响也很大。一般来说，荧光粉的半波宽越宽，其覆盖的颜色范围越宽，正装LED芯片的显色性Ra、颜色饱和度会越高，但是，色纯度会越低。

现有的量子阱在形成过程中，由于腔体环境温度气流等因素的影响，量子阱成长不均匀，导致正装LED芯片的波长呈离散型以及半波宽过大，从而在封装时造成荧光粉发光激光效能下降，降低光效。此外，正装LED芯片的反射率越大，增加了芯片的能量损失，不利于芯片内的光线出射，而且还转换出来了更多的可见光，这部分可见光会被荧光粉散射或反射，使荧光粉的陷光作用占主导，芯片发射出来的光杯反射损耗的作用大于吸引转换的作用，从而导致光效下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种正装LED芯片及其制作方法，在衬底的两侧分别形成反射层，将对荧光粉激发效率低的光进行过滤，从而提升荧光粉的激发效率，进而提高光效。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种正装LED芯片，包括：

衬底；

设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；

设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。

作为上述方案的改进，所述第二反射层为布拉格反射层。

作为上述方案的改进，所述第一布拉格反射层和第二反射层均由SiO₂和 TiO₂制成。

作为上述方案的改进，所述第一布拉格反射层和第二反射层均为多层结构。

作为上述方案的改进，所述第二反射层为金属反射层。

作为上述方案的改进，所述第一布拉格反射层的厚度大于100nm。

作为上述方案的改进，所述发光结构还包括设于第二半导体层和第一布拉格反射层之间的透明导电层，其中，第二电极贯穿所述第一布拉格反射层并设于透明导电层上。