[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810623209.1 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807624A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 反射层 衬底 正装 布拉格反射层 发光结构 反射率 源层 荧光粉 衬底表面 第二电极 第一电极 短波长光 显色指数 转换效率 能效 人眼 色温 制作 封装 过滤 发射 激发 损害 | ||
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
设于衬底表面的发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的第一电极和有源层、设于有源层上的第二半导体层、依次设于第二半导体层上的第一布拉格反射层和第二电极；
设于衬底背面的第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。
2.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第二反射层为布拉格反射层。
3.如权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射层和第二反射层均由SiO2和TiO2制成。
4.如权利要求2所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射层和第二反射层均为多层结构。
5.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第二反射层为金属反射层。
6.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第一布拉格反射层的厚度大于100nm。
7.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述发光结构还包括设于第二半导体层和第一布拉格反射层之间的透明导电层，其中，第二电极贯穿所述第一布拉格反射层并设于透明导电层上。
8.如权利要求7所述的正装LED芯片，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设于发光结构的表面和侧壁，其中，第一电极和第二电极裸露出来。
9.一种正装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在衬底上形成发光结构，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的第一电极和有源层，依次设于有源层上的第二半导体层、透明导电层和第一布拉格反射层，贯穿第一布拉格反射层并设于透明导电层上的第二电极；
在衬底的背面形成第二反射层，其中，第二反射层的反射率大于第一布拉格反射层的反射率。
10.如权利要求9所述的正装LED芯片，其特征在于，所述第二反射层为布拉格反射层。
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