[发明专利]一种双层栅介质的金刚石场效应晶体管结构及制作方法在审
| 申请号： | 201810622906.5 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109037344A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 左浩;李升;刘宏明 | 申请（专利权）人： | 西安碳星半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓晖 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双层栅介质的金刚石场效应晶体管结构及制作方法，其结构，包括单晶金刚石，所述单晶金刚石的顶部外壁一侧设置有漏极，且单晶金刚石的顶部外壁另一侧设置有源极，其结构的制作方法，包括以下步骤，对单晶金刚石表面清洗吹干，在单晶金刚石上同质外延单晶金刚石薄膜，获得单晶金刚石外延薄膜。本发明中引入钝化层来保护表面沟道，其中SiN和ZrO2是半导体工艺中常用的两种钝化材料，能够有效抑制栅极下的漏电流，同时提高栅极对其下导电沟道的调制作用，上层高介电常数层增强栅极控制能力，降低栅介质的寄生电容对频率影响，增加器件稳定性，同时采用双层金属可提高栅极的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 场效应晶体管结构 双层栅介质 金刚石 顶部外壁 制作 单晶金刚石薄膜 高介电常数层 栅极控制能力 半导体工艺 器件稳定性 表面沟道 表面清洗 导电沟道 钝化材料 击穿电压 寄生电容 频率影响 双层金属 同质外延 外延薄膜 有效抑制 钝化层 漏电流 栅介质 吹干 漏极 源极 调制 上层 引入 | ||
【主权项】：
1.一种双层栅介质的金刚石场效应晶体管结构，包括单晶金刚石(1)，其特征在于，所述单晶金刚石(1)的顶部外壁一侧设置有漏极(5)，且单晶金刚石(1)的顶部外壁另一侧设置有源极(8)，所述单晶金刚石(1)的顶部外壁和漏极(5)、源极(8)的底部外壁之间设置有二维空穴气导电层(3)，所述漏极(5)和源极(8)相对一侧内壁之间形成有导电沟道，且导电沟道的底部内壁设置有栅介质，所述栅介质包括第一栅介质(2)和第二栅介质(6)，且第二栅介质(6)位于第一栅介质(2)的正上方，所述栅介质的顶部外壁中轴线处设置有栅极(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安碳星半导体科技有限公司，未经西安碳星半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810622906.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
