[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201810618241.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN109148475B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 郑雄喜;梁泰勋;李京垣;李宗璨;李镕守 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H10K59/121 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;董婷 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置,第二栅电极与第二沟道区叠置。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,所述显示装置包括:公共有源图案,包括NMOS区、PMOS区以及硅化物区,所述硅化物区与所述NMOS区和所述PMOS区在同一层中,并且所述硅化物区将所述NMOS区电连接到所述PMOS区,所述NMOS区包括第一沟道区和接触所述第一沟道区的n掺杂区,所述PMOS区包括第二沟道区和接触所述第二沟道区的p掺杂区;第一栅电极,与所述第一沟道区叠置;以及第二栅电极,与所述第二沟道区叠置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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