[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

公共有源图案，包括NMOS区、PMOS区以及硅化物区，所述硅化物区与所述NMOS区和所述PMOS区在同一层中，并且所述硅化物区将所述NMOS区电连接到所述PMOS区，所述NMOS区包括第一沟道区和接触所述第一沟道区的n掺杂区，所述PMOS区包括第二沟道区和接触所述第二沟道区的p掺杂区；

第一栅电极，与所述第一沟道区叠置；以及

第二栅电极，与所述第二沟道区叠置，

其中，所述NMOS区和所述PMOS区彼此不直接接触。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅化物区的宽度等于与所述硅化物区相邻的所述NMOS区或所述PMOS区的宽度。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅化物区包括硅化钛、硅化镍、硅化钽、硅化铂、硅化钴和硅化钨中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅化物区的厚度等于与所述硅化物区相邻的所述NMOS区或所述PMOS区的厚度。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅化物区的厚度大于与所述硅化物区相邻的所述NMOS区或所述PMOS区的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述硅化物区中的硅化部分的深度为至

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述n掺杂区包括第一高浓度n掺杂区、第一低浓度n掺杂区、第二低浓度n掺杂区和第二高浓度n掺杂区，

所述p掺杂区包括第一p掺杂区和第二p掺杂区，并且

所述硅化物区接触所述第一高浓度n掺杂区和所述第二p掺杂区。

8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一绝缘层，覆盖所述公共有源图案，

其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极位于所述第一绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一绝缘层；以及

硅化物金属图案，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以接触所述硅化物区。

10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括：

源电极，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以接触所述公共有源图案；以及

漏电极，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层以接触所述公共有源图案，其中，所述硅化物金属图案与所述源电极和所述漏电极位于同一层中。

11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

有机发光二极管，通过所述公共有源图案接收驱动电流。

12.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：

形成公共有源图案，所述公共有源图案包括第一有源区、与所述第一有源区间隔开的第二有源区以及在所述第一有源区与所述第二有源区之间的硅化物区；

部分地掺杂所述第一有源区，以形成NMOS区，所述NMOS区包括第一沟道区和接触所述第一沟道区的n掺杂区；以及

部分地掺杂所述第二有源区，以形成PMOS区，所述PMOS区包括第二沟道区和接触所述第二沟道区的p掺杂区。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述公共有源图案的步骤包括：

在基体基底上形成包括多晶硅的半导体图案；

在所述半导体图案上形成硅化物金属图案；以及

加热所述半导体图案和所述硅化物金属图案，以形成所述硅化物区。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述硅化物金属图案包括钛、镍、钽、铂、钴和钨中的至少一种。