[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括公共有源图案、第一栅电极和第二栅电极。公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及与NMOS区和PMOS区在同一层中的硅化物区。硅化物区将NMOS区电连接到PMOS区。NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区。PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。第一栅电极与第一沟道区叠置，第二栅电极与第二沟道区叠置。

技术领域

这里描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置及一种制造显示装置的方法。

背景技术

已经开发了各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。这些显示器的像素包括薄膜晶体管。薄膜晶体管的沟道可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。有机发光显示器通常使用多晶硅作为沟道材料。多晶硅具有相对较高的载流子迁移率，因此可以用于形成PMOS或NMOS晶体管。

正在不断做出增大显示电路的集成度的尝试。一种方法试图集成布线并且减小薄膜晶体管的尺寸，以增大集成度，同时实现高分辨率。

为了提高驱动效率，可以以CMOS构造布置薄膜晶体管。在CMOS构造中，由于n掺杂区和p掺杂区的电特性不同，因此n掺杂区和p掺杂区彼此不直接(或物理)接触。然而，n掺杂区和p掺杂区通过由金属布线形成的桥彼此电连接。形成桥的工艺会损坏或另外造成显示器的缺陷。此外，由于对用于形成桥的附加掩模的使用使得增加了制造成本。

发明内容

根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：公共有源图案，所述公共有源图案包括NMOS区、PMOS区以及硅化物区，所述硅化物区与NMOS区和PMOS区在同一层中，并且将NMOS区电连接到PMOS区，所述NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区，所述PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区；第一栅电极，与第一沟道区叠置；以及第二栅电极，与第二沟道区叠置。

硅化物区的宽度可以等于与硅化物区相邻的NMOS区或PMOS区的宽度。硅化物区可以包括硅化钛、硅化镍、硅化钽、硅化铂、硅化钴和硅化钨中的至少一种。硅化物区的厚度可以等于与硅化物区相邻的NMOS区或PMOS区的厚度。硅化物区的厚度可以大于与硅化物区相邻的NMOS区或PMOS区的厚度。硅化物区中的硅化部分的深度可以是约至约

n掺杂区可以包括第一高浓度n掺杂区、第一低浓度n掺杂区、第二低浓度n掺杂区和第二高浓度n掺杂区，p掺杂区可以包括第一p掺杂区和第二p掺杂区，硅化物区可以接触第一高浓度n掺杂区和第二p掺杂区。

显示装置可以包括覆盖公共有源图案的第一绝缘层，第一栅电极和第二栅电极可以位于第一绝缘层上。显示装置可以包括：第二绝缘层，覆盖第一栅电极、第二栅电极和第一绝缘层；以及硅化物金属图案，穿过第一绝缘层和第二绝缘层以接触硅化物区。

显示装置可以包括：源电极，穿过第一绝缘层和第二绝缘层以接触公共有源图案；以及漏电极，穿过第一绝缘层和第二绝缘层以接触公共有源图案，其中，所述硅化物金属图案与源电极和漏电极在同一层中。显示装置可以包括通过公共有源图案接收驱动电流的有机发光二极管。

根据一个或多个其它实施例，一种用于制造显示装置的方法包括：形成公共有源图案，所述公共有源图案包括第一有源区、与第一有源区间隔开的第二有源区以及在第一有源区与第二有源区之间的硅化物区；部分地掺杂第一有源区，以形成NMOS区，NMOS区包括第一沟道区和接触第一沟道区的n掺杂区；以及部分掺杂第二有源区，以形成PMOS区，PMOS区包括第二沟道区和接触第二沟道区的p掺杂区。

形成公共有源图案的步骤可以包括：在基体基底上形成包括多晶硅的半导体图案；在半导体图案上形成硅化物金属图案；以及加热半导体图案和硅化物金属图案，以形成硅化物区。硅化物金属图案可以包括钛、镍、钽、铂、钴和钨中的至少一种。硅化物金属图案的宽度可以等于半导体图案的宽度。硅化物金属图案的宽度可以大于半导体图案的宽度。