[发明专利]一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法在审
| 申请号： | 201810613402.7 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN111725291A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;徐妙玲;黄兴;倪炜江;卢小东 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法；自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；所述JTE顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High‑K介质。本申请的新型复合终端耐压结构工艺简单，对JTE浓度敏感性降低，同时能提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积；同时终端的N型抗浪涌电流增强层Surge layer在正向导通时大的浪涌电流下还能起到分流作用，增强器件的抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 jte 内嵌多 沟槽 复合 终端 结构 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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