[发明专利]一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件及制作方法

权利要求书

1.一种JTE内嵌多沟槽复合终端结构功率器件，自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和底部平整的JTE结构，所述P+区和所述JTE结构的一端连接；其特征在于，所述JTE结构的顶部设置有若干个沟槽环，所述沟槽环中填有High-K介质。

2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述JTE结构的底部设置有雪崩耐量增强结构。

3.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述高介电常数介质为SiO₂、SiNx、Al₂O₃、AlN、HfO₂、MgO、Sc₂O₃、Ga₂O₃、AlHFOx、HFSiON材料中的一种或任意几种的组合。

4.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件包括但不限于PIN，SBD，MOSFET，IGBT或GTO。

5.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件的制作晶圆材料包括但不限于硅，碳化硅，砷化镓，氮化铝，氮化镓，氧化镓或金刚石。

6.如权利要求1所述的功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在N型（或P型）外延耐压层的结终端区域的上层是与外延层相反掺杂的P型层结终端延伸JTE（外延是P型时则为N型）；

2）利用光刻版做光刻，直接在光刻的开口处继续往下刻蚀出若干个沟槽环；最好是圆环；

3）在沟槽环中填入了SiO₂或其他High-K介质。

7.如权利要求6所述的功率器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

4）在终端P型JTE结构的底下注入与外延层相同掺杂类型但浓度比外延层稍高的离子；形成N型抗浪涌电流增强层。