[发明专利]离子注入的方法及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810589359.5 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807156A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张连宝;曹子贵;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入的方法及半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有图形化的光刻胶；在大于150摄氏度的温度下使所述图形化的光刻胶固化；以所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述衬底进行离子注入。在大于150摄氏度的温度下对所述图形化的光刻胶进行固化后，所述图形化的光刻胶形状更好，更有利于后续的离子注入工艺，并且固化时高温的环境有利于所述光刻胶中的水汽或溶剂的蒸发，在离子注入光刻机内对衬底进行离子注入时，所述图形化的光刻胶层对所述离子注入光刻机的真空度影响较小，提高了离子注入的稳定性，使器件的失效率降低，良率提升，进而降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 图形化 离子 光刻胶 衬底 固化 半导体结构 注入光 刻机 离子注入工艺 光刻胶形状 光刻胶层 制造成本 水汽 失效率 溶剂 良率 掩膜 蒸发 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入的方法，其特征在于，所述离子注入的方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有图形化的光刻胶；在大于150摄氏度的温度下使所述图形化的光刻胶固化；以所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述衬底进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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