[发明专利]离子注入的方法及半导体结构的形成方法

说明书

本发明提供了一种离子注入的方法及半导体结构的形成方法，包括提供衬底，所述衬底上形成有图形化的光刻胶；在大于150摄氏度的温度下使所述图形化的光刻胶固化；以所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述衬底进行离子注入。在大于150摄氏度的温度下对所述图形化的光刻胶进行固化后，所述图形化的光刻胶形状更好，更有利于后续的离子注入工艺，并且固化时高温的环境有利于所述光刻胶中的水汽或溶剂的蒸发，在离子注入光刻机内对衬底进行离子注入时，所述图形化的光刻胶层对所述离子注入光刻机的真空度影响较小，提高了离子注入的稳定性，使器件的失效率降低，良率提升，进而降低了制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种离子注入的方法及半导体结构的形成方法。

背景技术

目前，离子注入已经成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术，其具有能够精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性等优点，并且离子注入是低温工艺，可防止原来杂质的再扩散，同时可实现自对准技术以减小电容效应，因此是当代制造大规模集成电路中一种非常重要的手段。

采用现有的离子注入工艺对衬底进行离子注入后，形成的器件失效率很高，导致产品的良率降低，增加了制造成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种离子注入的方法及半导体结构的形成方法，以解决采用现有的离子注入工艺后形成的器件失效率高等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种离子注入的方法，所述离子注入的方法包括：

提供衬底，所述衬底上形成有图形化的光刻胶；

在大于150摄氏度的温度下使所述图形化的光刻胶固化；

以所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述衬底进行离子注入。

可选的，采用ArF光刻机形成所述图形化的光刻胶及固化所述图形化的光刻胶。

可选的，在所述衬底上形成图形化的光刻胶的步骤包括：

在所述衬底上形成光刻胶层；

采用ArF准分子激光对所述光刻胶层进行曝光，形成所述图形化的光刻胶。

可选的，采用旋涂法形成所述光刻胶层。

可选的，所述ArF准分子激光的波长范围在190nm-195nm之间。

可选的，在所述衬底上形成光刻胶层之后，所述离子注入的方法还包括：

对所述光刻胶层进行软烘烤。

可选的，在真空环境下对所述衬底进行离子注入。

可选的，对所述衬底注入的杂质离子包括氮离子、磷离子、硼离子或砷离子中的一种或多种。

可选的，对所述衬底进行离子注入之后，所述离子注入的方法还包括：

在850摄氏度-1000摄氏度的温度下对所述衬底进行退火处理。

本发明提供了一种半导体结构的形成方法，采用如所述离子注入的方法。

发明人通过研究发现，通过离子注入后形成的器件的阻值越高，其失效率就越高，而器件的阻值的大小与离子注入机腔室的真空度密不可分，具体的，离子注入时，离子注入机腔室的真空度越高，器件的阻值越小。