[发明专利]离子注入的方法及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201810589359.5 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807156A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张连宝;曹子贵;陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图形化 离子 光刻胶 衬底 固化 半导体结构 注入光 刻机 离子注入工艺 光刻胶形状 光刻胶层 制造成本 水汽 失效率 溶剂 良率 掩膜 蒸发 | ||
1.一种离子注入的方法，其特征在于，所述离子注入的方法包括：
提供衬底，所述衬底上形成有图形化的光刻胶；
在大于150摄氏度的温度下使所述图形化的光刻胶固化；
以所述图形化的光刻胶为掩膜，对所述衬底进行离子注入。
2.如权利要求1所述的离子注入的方法，其特征在于，采用ArF光刻机形成所述图形化的光刻胶及固化所述图形化的光刻胶。
3.如权利要求2所述的离子注入的方法，其特征在于，在所述衬底上形成图形化的光刻胶的步骤包括：
在所述衬底上形成光刻胶层；
采用ArF准分子激光对所述光刻胶层进行曝光，形成所述图形化的光刻胶。
4.如权利要求2所述的离子注入的方法，其特征在于，采用旋涂法形成所述光刻胶层。
5.如权利要求3所述的离子注入的方法，其特征在于，所述ArF准分子激光的波长范围在190nm-195nm之间。
6.如权利要求3所述的离子注入的方法，其特征在于，在所述衬底上形成光刻胶层之后，所述离子注入的方法还包括：
对所述光刻胶层进行软烘烤。
7.如权利要求1所述的离子注入的方法，其特征在于，在真空环境下对所述衬底进行离子注入。
8.如权利要求7所述的离子注入的方法，其特征在于，对所述衬底注入的杂质离子包括氮离子、磷离子、硼离子或砷离子中的一种或多种。
9.如权利要求8所述的离子注入的方法，其特征在于，对所述衬底进行离子注入之后，所述离子注入的方法还包括：
在850摄氏度-1000摄氏度的温度下对所述衬底进行退火处理。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的离子注入的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810589359.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
