[发明专利]在FINFET装置中用于阈值电压控制的方法、设备及系统有效
| 申请号： | 201810579685.8 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109087889B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 东乡光洋;蓝·阿斯拉;张兴;P·巴拉苏布拉马尼亚姆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在FINFET装置中用于阈值电压控制的方法、设备及系统，所揭示的是就多个晶体管装置用于控制阈值电压值的至少一种方法、设备及系统。判定第一晶体管栅极的第一阈值电压，该第一晶体管栅极包含具有第一长度的第一栅极通道。判定第二晶体管栅极的第二栅极通道的第二长度。基于该第二长度判定该第二栅极的程序调整，用于提供该第二晶体管栅极的第二阈值电压。该第二阈值电压是在该第一阈值电压的预定范围内。提供与程序调整有关的数据至处理控制器，用于进行该程序调整。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 装置 用于 阈值 电压 控制 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：判定第一晶体管栅极的第一阈值电压，该第一晶体管栅极包含具有第一长度的第一栅极通道；判定第二晶体管栅极的第二栅极通道的第二长度；基于该第二长度判定该第二栅极的程序调整，用于提供该第二晶体管栅极的第二阈值电压，其中，该第二阈值电压是在该第一阈值电压的预定范围内；以及提供与程序调整有关的数据至过程控制器，用于进行该程序调整。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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