[发明专利]在FINFET装置中用于阈值电压控制的方法、设备及系统

权利要求书

1.一种方法，包含：

判定第一晶体管栅极的第一阈值电压，该第一晶体管栅极包含具有第一长度的第一栅极通道；

判定第二晶体管栅极的第二栅极通道的第二长度；

基于该第二长度判定该第二栅极的程序调整，用于提供该第二晶体管栅极的第二阈值电压，其中，该第二阈值电压是在该第一阈值电压的预定范围内，其中，判定该程序调整包含判定该第一晶体管栅极的第一功函数金属(WFM)层的厚度及判定该第二晶体管栅极的第二WFM层的厚度，其中，回应于判定该第一阈值电压为PFET低电压阈值(PLVT)、PFET规则电压阈值(PRVT)、PFET超低电压阈值(PSLVT)、NFET低电压阈值(NLVT)、NFET规则电压阈值(NRVT)或NFET超低电压阈值(NSLVT)其中至少一者，该第二WFM层比该第一WFM层的该厚度更厚；以及

提供与程序调整有关的数据至处理控制器，用于进行该程序调整。

2.如权利要求1所述的方法，其特征为，判定该第一阈值电压包含判定该第一晶体管栅极是否为下列其中一者：PFET低电压阈值(PLVT)、PFET规则电压阈值(PRVT)、PFET超低电压阈值(PSLVT)、NFET低电压阈值(NLVT)、NFET规则电压阈值(NRVT)或NFET超低电压阈值(NSLVT)。

3.如权利要求2所述的方法，其特征为：

该PLVT与该NLVT为约0.20伏特的绝对值；

该PRVT与该NRVT为约0.25伏特的绝对值；以及

该PSLVT与该NSLVT为约0.15伏特的绝对值。

4.如权利要求1所述的方法，其特征为，该第一晶体管栅极的第一WFM呈第二WFM的相反极性。

5.如权利要求1所述的方法，其特征为，判定该程序调整包含判定用于该第一WFM层的第一材料及用于该第二WFM层的第二材料。

6.如权利要求1所述的方法，其特征为，判定该程序调整包含调整对应于该第二晶体管栅极的源极与漏极区所相邻的光晕层，其中，调整该光晕层包含提供更薄的光晕层或消除该光晕层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征为，判定第二功函数金属层的厚度判定该第二WFM层要在约40A至50A的范围内。

8.一种系统，包含：

用以制造包含至少一个鳍式场效晶体管(finFET)的半导体装置的半导体装置处理系统；以及

有效耦接至该半导体装置处理系统的处理控制器，该处理控制器经组配以控制该半导体装置处理系统的运作；

其中，该半导体装置处理系统经调适以：

判定第一晶体管栅极的第一阈值电压，该第一晶体管栅极包含具有第一长度的第一栅极通道；

判定第二晶体管栅极的第二栅极通道的第二长度；

基于该第二长度判定该第二栅极的程序调整，用于提供该第二晶体管栅极的第二阈值电压，其中，该第二阈值电压是在该第一阈值电压的预定范围内，其中，判定该第一晶体管栅极的第一功函数金属(WFM)层的厚度及判定该第二晶体管栅极的第二WFM层的厚度，其中，回应于判定该第一阈值电压为PFET低电压阈值(PLVT)、PFET规则电压阈值(PRVT)、PFET超低电压阈值(PSLVT)、NFET低电压阈值(NLVT)、NFET规则电压阈值(NRVT)或NFET超低电压阈值(NSLVT)其中至少一者，该第二WFM层比该第一WFM层的该厚度更厚；以及

提供与程序调整有关的数据至该处理控制器，用于进行该程序调整。

9.如权利要求8所述的系统，进一步包含经组配用以产生第一设计的设计单元，该第一设计包含用于程序掩膜的界定、用于形成该第一晶体管栅极与该第二晶体管栅极的界定，其中，出自该设计单元的数据是由该处理控制器用于控制该半导体装置处理系统的运作。

10.如权利要求8所述的系统，其特征为，该半导体装置处理系统经进一步调适以：

调整对应于该第二晶体管栅极的源极与漏极区所相邻的光晕层，其中，调整该光晕层包含提供更薄的光晕层或消除该光晕层；以及

判定第一栅极-源极-漏极设计的第三阈值电压及第二栅极-漏极-源极设计的第四阈值电压，并且判定该第二栅极-漏极-源极设计的WFM层的厚度，用于造成该第四阈值电压处在该第三阈值电压的预定范围内。