[发明专利]一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件

摘要

本发明公开一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件，包括步骤：在具有第一金属层、Y栅金属、第一氮化物层和第二氮化物层的外延片的上涂覆聚合物层；在聚合物层上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层。上述技术方案不仅一次形成Y栅金属和第一金属层，还会在漏极金属、源极金属的第一金属层顶部和Y栅顶部位置同时蒸镀上金属层，减少了制作工艺的步骤流程，不仅提高了效率，也降低了成本。

主权项

1.一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在外延片上涂覆第一光刻胶；在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；在外延片和第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅位置形成Y栅金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；蚀刻去除第一光刻胶和第二光刻胶；涂覆第一氮化物层；涂覆第三光刻胶；在第三光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；蚀刻去除第三光刻胶；涂覆聚合物层；在聚合物层上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；涂覆第四光刻胶；在第四光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第二金属层；蚀刻去除第四光刻胶。