[发明专利]一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件

说明书

本发明公开一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件，包括步骤：在具有第一金属层、Y栅金属、第一氮化物层和第二氮化物层的外延片的上涂覆聚合物层；在聚合物层上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层。上述技术方案不仅一次形成Y栅金属和第一金属层，还会在漏极金属、源极金属的第一金属层顶部和Y栅顶部位置同时蒸镀上金属层，减少了制作工艺的步骤流程，不仅提高了效率，也降低了成本。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件。

背景技术

本发明改进前的Y栅晶体管器件的生产过程如图1所示，一般要经历如下工艺：外延片表面处理与器件源极/漏极金属化工艺——Y栅底部光刻工艺——Y栅顶部光刻工艺——Y栅金属化沉积工艺——第一钝化层氮化物沉积工艺——第一金属层沉积工艺——第二钝化层氮化物沉积工艺——聚合物钝化平坦层工艺——第二金属层沉积工艺——第三钝化层氮化物沉积工艺等。为了提升Y栅处的导电性，由于Y栅长度固定，则需要增大Y栅的横截面积，此时还需要在第一金属层沉积工艺后增加一步Y栅金属举高的步骤，即在Y栅上进行再次的金属沉积，此时就会多增加一道Y栅金属举高沉积工艺。每道工艺又包含有多个处理过程，如表面清洗、曝光显影、金属化或者蚀刻沉积等。这样，制作增高的Y栅晶体管器件需要经历较多的工艺步骤。

发明内容

为此，需要提供一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件，解决现有Y栅半导体制作步骤较多的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，包括如下步骤：

在外延片上涂覆第一光刻胶；

在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；

在外延片和第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；

在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；

进行金属蒸镀沉积，在Y栅位置形成Y栅金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；

蚀刻去除第一光刻胶和第二光刻胶；

涂覆第一氮化物层；

涂覆第三光刻胶；

在第三光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；

蚀刻去除第三光刻胶；

涂覆聚合物层；

在聚合物层上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

涂覆第四光刻胶；

在第四光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第二金属层；

蚀刻去除第四光刻胶。

进一步地，还包括步骤：沉积第二氮化物层，并在第二氮化物层上蚀刻露出第二金属层顶部位置。

进一步地，所述外延片包括有依次堆叠的半导体材料衬底层、场效应晶体管器件结构层。

进一步地，所述第一光刻胶为正性光刻胶。

进一步地，所述第二光刻胶为负性光刻胶。

进一步地，所述第四光刻胶为负性光刻胶。