[发明专利]一种多层自对准Y栅晶体管器件制造方法及晶体管器件

权利要求书

1.一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在外延片上涂覆第一光刻胶；

在第一光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；

在外延片和第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；

在第二光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅位置处形成开口；

进行金属蒸镀沉积，在Y栅位置形成Y栅金属，在漏极金属、源极金属位置形成第一金属层；

蚀刻去除第一光刻胶和第二光刻胶；

涂覆第一氮化物层；

涂覆第三光刻胶；

在第三光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

蚀刻去除漏极金属、源极金属和Y栅位置处的第一氮化物层；

蚀刻去除第三光刻胶；

涂覆聚合物层；

在聚合物层上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

涂覆第四光刻胶；

在第四光刻胶上曝光显影以在漏极金属、源极金属和Y栅顶部位置处形成开口；

进行金属蒸镀沉积，在Y栅顶部位置形成Y栅举高金属，在漏极金属、源极金属位置形成第二金属层；

蚀刻去除第四光刻胶。

2.根据权利要求1所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于，还包括步骤：沉积第二氮化物层，并在第二氮化物层上蚀刻露出第二金属层顶部位置。

3.根据权利要求1到2任一项所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于：所述外延片包括有依次堆叠的半导体材料衬底层、场效应晶体管器件结构层。

4.根据权利要求1到2任一项所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于：所述第一光刻胶为正性光刻胶。

5.根据权利要求1到2任一项所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于：所述第二光刻胶为负性光刻胶。

6.根据权利要求1到2任一项所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于：所述第四光刻胶为负性光刻胶。

7.根据权利要求1到2任一项所述的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法，其特征在于，在漏极金属、源极金属位置上方的第二光刻胶覆盖住第一光刻胶。

8.一种多层自对准Y栅晶体管，其特征在于，所述晶体管由权利要求1到7任意一项的一种多层自对准Y栅晶体管制造方法制得。

9.根据权利要求8所述的一种多层自对准Y栅晶体管，其特征在于，所述Y栅金属高度与在漏极金属、源极金属处第一金属层高度相同，所述Y栅举高金属高度与在漏极金属、源极金属处第二金属层高度相同。