[发明专利]具有多栅极晶体管结构的半导体装置

摘要

本申请公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区及其之间的分离区。单元区具有第一宽度。第一栅极结构和第二栅极结构布置在单元区上，所述二者在第一方向上彼此间隔开，并且在第二方向上延伸。第一金属线和第二金属线布置在单元区上，所述二者在第一方向上延伸，并且彼此间隔开第一间距。第一金属线和第二金属线中的每一个具有第二宽度。第一栅极接触件将第一栅极结构与第一金属线电连接。第一栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第二栅极接触件将第二栅极结构与第二金属线电连接。第二栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第一宽度除以第一间距和第二宽度之和的结果为六或更小。

主权项

1.一种半导体装置，包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区，所述单元区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度；所述单元区上的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构在所述第一方向上彼此间隔开，并且在所述第二方向上延伸；所述单元区上的第一金属线和第二金属线，所述第一金属线和第二金属线在所述第一方向上延伸，并且在所述第二方向上彼此间隔开第一间距，所述第一金属线和第二金属线中的每一个在所述第二方向上具有第二宽度；第一栅极接触件，其将所述第一栅极结构与所述第一金属线电连接，所述第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区；以及第二栅极接触件，其将所述第二栅极结构与所述第二金属线电连接，所述第二栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区，其中，所述第一宽度除以所述第一间距和所述第二宽度之和的结果为六或更小。