[发明专利]具有多栅极晶体管结构的半导体装置

说明书

本申请公开一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区及其之间的分离区。单元区具有第一宽度。第一栅极结构和第二栅极结构布置在单元区上，所述二者在第一方向上彼此间隔开，并且在第二方向上延伸。第一金属线和第二金属线布置在单元区上，所述二者在第一方向上延伸，并且彼此间隔开第一间距。第一金属线和第二金属线中的每一个具有第二宽度。第一栅极接触件将第一栅极结构与第一金属线电连接。第一栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第二栅极接触件将第二栅极结构与第二金属线电连接。第二栅极接触件的至少一部分覆盖分离区。第一宽度除以第一间距和第二宽度之和的结果为六或更小。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0072391的权益，该申请的公开内容通过引用方式整体并入本文。

技术领域

本公开涉及半导体装置。

背景技术

对于半导体装置密度增大，已提出多栅极晶体管作为缩放技术之一，根据该技术，在衬底上形成鳍形或纳米线形的多沟道有源图案(或硅体)，随后在多沟道有源图案的表面上形成栅极。

这种多栅极晶体管由于其使用三维沟道而允许容易的缩放。此外，可提高电流控制能力而不需要增加多栅极晶体管的栅极长度。这种结构可有效地抑制其中沟道区的电势受到漏极电压的影响的短沟道效应(SCE)。

发明内容

本公开的示例性实施例可解决现有技术的问题。示例性实施例可提供一种半导体装置结构，其能够降低在由单元区的宽度、金属线之间的间距和金属线的宽度之间的关系限定的单元区中，将栅极接触件与源极/漏极接触件分离的工艺的难度水平。

一些实施例提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与第二有源区之间的分离区。所述单元区在垂直于第一方向的第二方向上具有第一宽度。第一栅极结构和第二栅极结构布置在所述单元区上，所述二者在第一方向上彼此间隔开，并且在第二方向上延伸。第一金属线和第二金属线布置在单元区上，所述二者在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开第一间距。第一金属线和第二金属线中的每一个在第二方向上具有第二宽度。第一栅极接触件将第一栅极结构与第一金属线电连接。第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区。第二栅极接触件将第二栅极结构与第二金属线电连接。第二栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区。第一宽度除以第一间距和第二宽度之和的结果为六或更小。

其它实施例提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：单元区，其包括第一有源区、第二有源区和所述第一有源区与第二有源区之间的分离区。多条金属线布置在所述单元区上，所述金属线在第一方向上延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开。栅极结构布置为横向于所述多条金属线，并且在第二方向上延伸。栅极接触件至少部分地覆盖所述分离区，并且将所述多条金属线中的至少一条与栅极结构电连接。在所述第一有源区、分离区和第二有源区上在第二方向上彼此间隔开的所述多条金属线的数量为三或四。