[发明专利]具有多栅极晶体管结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

单元区，其包括在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区以及所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区，所述单元区在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第一宽度；

所述单元区上的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和第二栅极结构在所述第一方向上彼此间隔开，并且在所述第二方向上延伸；

所述单元区上的第一金属线和第二金属线，所述第一金属线和第二金属线在所述第一方向上延伸，并且在所述第二方向上彼此间隔开第一间距，所述第一金属线和第二金属线中的每一个在所述第二方向上具有第二宽度；

第一栅极接触件，其将所述第一栅极结构与所述第一金属线电连接，所述第一栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区；以及

第二栅极接触件，其将所述第二栅极结构与所述第二金属线电连接，所述第二栅极接触件的至少一部分覆盖所述分离区，其中，所述第一宽度除以所述第一间距和所述第二宽度之和的结果为六或更小。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件仅布置在所述分离区上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一栅极接触件的边缘布置在所述第一有源区与所述分离区之间的第一边界上，并且其中，所述第二栅极接触件的边缘布置在所述第二有源区与所述分离区之间的第二边界上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅极接触件的一部分覆盖所述第一有源区。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第二栅极接触件的一部分覆盖所述第二有源区。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一有源区包括在所述第一方向上延伸并且从衬底突出的第一鳍式图案，并且

其中，所述第二有源区包括在所述第一方向上延伸并且从所述衬底突出的第二鳍式图案。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅极结构包括：

在所述第一方向上延伸的第一纳米线；

在所述第一方向上延伸的第二纳米线，其布置在所述第一纳米线上，并且与所述第一纳米线间隔开；以及

栅电极，其围绕所述第一纳米线和所述第二纳米线。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属线的至少一部分和所述第二金属线的至少一部分覆盖所述分离区。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在所述第一有源区上，在所述第一方向上延伸并且在第所述二方向上与所述第一金属线间隔开第二间距的第三金属线；以及

在所述第二有源区上，在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上与所述第二金属线间隔开第三间距的第四金属线，

其中，所述第一间距、第二间距和第三间距相同，并且所述第一金属线和所述第二金属线仅布置在所述分离区上。

10.一种半导体装置，包括：

单元区，其包括第一有源区、第二有源区和所述第一有源区与所述第二有源区之间的分离区；

所述单元区上的多条金属线，所述多条金属线在第一方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；

栅极结构，其横向于所述多条金属线，并且在所述第二方向上延伸；以及

栅极接触件，其至少部分地覆盖所述分离区，并且将所述多条金属线中的至少一条与所述栅极结构电连接，

其中，在所述第一有源区、所述分离区和所述第二有源区上在所述第二方向上彼此间隔开的所述多条金属线的数量为三或四。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述多条金属线在所述第二方向上彼此间隔开第一间距。