[发明专利]一种提高CVD单晶金刚石硬度及韧性的方法有效
| 申请号： | 201810556015.4 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108545738B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李成明;赵云;刘金龙;郑宇亭;陈良贤;魏俊俊 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/28 | 分类号： | C01B32/28 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高CVD单晶金刚石硬度及韧性的方法，属于金刚石材料领域。所述方法包括采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)或者热丝化学气相沉积(HFCVD)或者直流电弧等离子喷射(DC Arc Plasma Jet CVD)来生长单晶金刚石时，间断性地通入氮气或者氮气和氧气的混合气体或者含硼气体。通过不同掺杂层金刚石的交替生长，实现纳米多层化界面结构的增强和增韧效应。通过上述方法生长的CVD单晶金刚石与非掺杂生长的CVD单晶金刚石相比，维氏硬度提升了5％‑25％，断裂韧性提升了4％‑56％。应用本发明所生长多层化的CVD单晶金刚石的硬度和韧性都得到了显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 cvd 金刚石 硬度 韧性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高CVD单晶金刚石硬度及韧性的方法，其特征在于：采用微波等离子体化学气相沉积或者热丝化学气相沉积或者直流电弧等离子喷射来生长单晶金刚石时，间断性地通入氮气或者氮气和氧气的混合气体或者含硼气体，生长温度为700‑1050℃，压力为6‑30KPa，CH4/H2＝2‑12％，通过不同掺杂层金刚石的交替生长，实现纳米多层化界面结构的增强和增韧效应。
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