[发明专利]外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法有效
| 申请号： | 201810547183.7 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987328B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/66;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。本发明可实现对各个衬底外延生长情况的准确监控。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 石墨 基座 利用 监测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；其特征在于，所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
