[发明专利]外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法

说明书

本发明公开了一种外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。本发明可实现对各个衬底外延生长情况的准确监控。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

制作LED时，先将至少一个衬底放置在石墨基座上进行外延生长，形成LED外延片；再在LED外延片上设置电极，并对衬底进行切割，得到若干相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，完成LED的制作。其中，石墨基座是采用高纯石墨作基材、表面镀有碳化硅(SiC)涂层的圆盘，圆盘上设有多个凹槽，每个凹槽内可容纳一个衬底进行外延生长。

在衬底进行外延生长的过程中，通常将激光光束投射到石墨基座上，形成的LED外延片会对投射到其表面的光线进行反射。由于LED外延片的生长情况不同，对光线的反射效果会有差异，因此通过对LED外延片反射的光线进行检测，可以了解到LED外延片的生长情况。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

石墨基座上同时有多个衬底进行外延生长，并且石墨基座在衬底进行外延生长的过程中持续转动，因此同一个光线检测装置实际上是周期性检测多个LED外延片对光线的反射情况，但是现有技术并不能将检测到的光线反射情况锁定到对应的LED外延片上，达不到对各个衬底外延生长情况的监控效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，能够解决现有技术无法将各个LED外延片的检测结果锁定到对应的LED外延片上的问题。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种外延生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。

可选地，所述多个凹槽的开口的中心连成以所述第一圆形底面的中心为圆心的至少一个圆环；所述第一区域在所述第二圆形底面的投影位于连成同一个所述圆环的相邻两个所述凹槽在所述第二圆形底面的投影之间。

可选地，所述第一区域的平整度与所述第二区域的平整度相差2～3个数量级。

优选地，所述第一区域的平整度为所述第二区域的平整度的1/200～1/100。

更优选地，所述第一区域的平整度为1μm～10μm。

可选地，所述第一区域的面积为0.5cm²～2cm²。

可选地，所述第一区域的形状为圆形或者正多边形。