[发明专利]外延生长的石墨基座及利用石墨基座监测外延生长的方法

权利要求书

1.一种外延生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的第一圆形底面上设有多个凹槽，所述第一圆形底面上、以及所述多个凹槽内均铺设有碳化硅层；其特征在于，所述碳化硅层的厚度为80μm～150μm，所述碳化硅层的上表面的第一区域的平整度小于所述碳化硅层的上表面的第二区域的平整度，所述第一区域的平整度为1μm～10μm，所述第一区域的平整度为所述第二区域的平整度的1/200～1/100，所述第一区域的面积为0.5cm²～2cm²；所述第一区域为所述碳化硅层的上表面的非中心区域，且所述第一区域在所述石墨基座的第二圆形底面的投影真包含于所述第一圆形底面在所述第二圆形底面的投影，所述第二圆形底面为与所述第一圆形底面相反的表面，所述第二区域为所述碳化硅层的上表面除所述第一区域之外的区域。

2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述多个凹槽的开口的中心连成以所述第一圆形底面的中心为圆心的至少一个圆环；所述第一区域在所述第二圆形底面的投影位于连成同一个所述圆环的相邻两个所述凹槽在所述第二圆形底面的投影之间。

3.根据权利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述第一区域的形状为圆形或者正多边形。

4.一种利用石墨基座监测外延生长的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一如权利要求1～3任一项所述的石墨基座，所述石墨基座的凹槽内放置有进行外延生长的衬底；

向所述石墨基座的碳化硅层的投射激光光束；

转动所述石墨基座，改变所述激光光束投射到所述碳化硅层的区域；

检测所述激光光束的投射区域对所述激光光束的反射率；

根据所述碳化硅层的不同区域对所述激光光束的反射率的大小关系，确定所述碳化硅层的上表面的第一区域、以及衬底外延生长形成的LED外延片对所述激光光束的反射率；

根据所述碳化硅层的上表面的第一区域对所述激光光束的反射率在检测到的反射率中的位置，将各个所述LED外延片对所述激光光束的反射率与所属的LED外延片对应。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述LED外延片对所述激光光束的反射率，确定所述LED外延片对所述激光光束的反射率所属的LED外延片的生长状况。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述LED外延片对所述激光光束的反射率，确定所述LED外延片对所述激光光束的反射率所属的LED外延片的生长状况，包括下列步骤中的至少一个：

根据所述LED外延片对所述激光光束的反射率，确定所述LED外延片的表面平整度；

利用布拉格公式，由所述LED外延片对所述激光光束的反射率得到所述LED外延片的厚度；

利用普朗克灰体定律方程，由所述LED外延片对所述激光光束的反射率得到所述LED外延片的温度。