[发明专利]一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座在审
| 申请号： | 201810547154.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987539A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，属于半导体技术领域。石墨基座为圆柱体，石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，多个凹槽内以及圆形底面上均铺设有碳化硅层；凹槽与圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，第一圆弧的圆心和第二圆弧的圆心均在第一圆弧和第二圆弧之间，第一圆弧的直径大于第二圆弧的直径，第二圆弧的圆心角大于180°，第一圆弧的第一端点和第二圆弧的第一端点通过第一连接线连接，第一圆弧的第二端点和第二圆弧的第二端点通过第二连接线连接；最靠近圆形底面的边缘的点属于第一圆弧，最靠近圆形底面的中心的点属于第二圆弧。本发明可改善外延片均匀性和边缘良率。 | ||
| 搜索关键词： | 连接线 石墨基座 发光二极管外延 圆心 半导体技术领域 碳化硅层 圆形底面 生长 均匀性 外延片 圆心角 良率 平行 铺设 | ||
【主权项】：
1.一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，所述多个凹槽内、以及所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面上均铺设有碳化硅层；其特征在于，每个所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，所述第一圆弧的圆心和所述第二圆弧的圆心均在所述第一圆弧和所述第二圆弧之间，所述第一圆弧的直径大于所述第二圆弧的直径，所述第二圆弧的圆心角大于180°，所述第一圆弧的第一端点和所述第二圆弧的第一端点通过所述第一连接线连接，所述第一圆弧的第二端点和所述第二圆弧的第二端点通过所述第二连接线连接；所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的边缘的点属于所述第一圆弧，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的中心的点属于所述第二圆弧。
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