[发明专利]一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座

说明书

本发明公开了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，属于半导体技术领域。石墨基座为圆柱体，石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，多个凹槽内以及圆形底面上均铺设有碳化硅层；凹槽与圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，第一圆弧的圆心和第二圆弧的圆心均在第一圆弧和第二圆弧之间，第一圆弧的直径大于第二圆弧的直径，第二圆弧的圆心角大于180°，第一圆弧的第一端点和第二圆弧的第一端点通过第一连接线连接，第一圆弧的第二端点和第二圆弧的第二端点通过第二连接线连接；最靠近圆形底面的边缘的点属于第一圆弧，最靠近圆形底面的中心的点属于第二圆弧。本发明可改善外延片均匀性和边缘良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

制作LED时，先将至少一个衬底放置在石墨基座上进行外延生长，形成LED外延片；再在LED外延片上设置电极，并对衬底进行切割，得到若干相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，完成LED的制作。其中，石墨基座是采用高纯石墨作基材、表面镀有碳化硅(SiC)涂层的圆盘，圆盘上设有多个凹槽，每个凹槽内可容纳一个衬底进行外延生长。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

石墨基板在衬底进行外延生长的过程中转动，此时凹槽内的衬底在离心力的作用下会贴到凹槽靠近石墨基座的边缘的侧壁上。由于衬底进行外延生长所需的热能是加热丝通过石墨基座传导到衬底，因此衬底贴到凹槽部分的温度会高于衬底其它部分的温度，造成外延生长不均匀，导致形成的LED外延片不均匀，边缘良率存在问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，能够解决现有技术外延生长不均匀，影响LED外延片的均匀性和边缘良率的问题。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，所述多个凹槽内、以及所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面上均铺设有碳化硅层；每个所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，所述第一圆弧的圆心和所述第二圆弧的圆心均在所述第一圆弧和所述第二圆弧之间，所述第一圆弧的直径大于所述第二圆弧的直径，所述第二圆弧的圆心角大于180°，所述第一圆弧的第一端点和所述第二圆弧的第一端点通过所述第一连接线连接，所述第一圆弧的第二端点和所述第二圆弧的第二端点通过所述第二连接线连接；所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的边缘的点属于所述第一圆弧，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的中心的点属于所述第二圆弧。

可选地，所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的边缘的点为所述第一圆弧的中点。

优选地，所述第一圆弧的圆心角大于或等于60°。

可选地，所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的中心的点为所述第二圆弧的中点。

优选地，所述第二圆弧的圆心角小于或等于300°。

可选地，所述第一圆弧的直径比所述第二圆弧的直径大0.1mm～2mm。