[发明专利]一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座在审
| 申请号： | 201810547154.0 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987539A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩;丁杰;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接线 石墨基座 发光二极管外延 圆心 半导体技术领域 碳化硅层 圆形底面 生长 均匀性 外延片 圆心角 良率 平行 铺设 | ||
1.一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座，所述石墨基座为圆柱体，所述石墨基座的一个圆形底面上设有多个凹槽，所述多个凹槽内、以及所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面上均铺设有碳化硅层；其特征在于，每个所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘包括第一圆弧、第二圆弧、第一连接线和第二连接线，所述第一圆弧的圆心和所述第二圆弧的圆心均在所述第一圆弧和所述第二圆弧之间，所述第一圆弧的直径大于所述第二圆弧的直径，所述第二圆弧的圆心角大于180°，所述第一圆弧的第一端点和所述第二圆弧的第一端点通过所述第一连接线连接，所述第一圆弧的第二端点和所述第二圆弧的第二端点通过所述第二连接线连接；所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的边缘的点属于所述第一圆弧，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的中心的点属于所述第二圆弧。
2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的边缘的点为所述第一圆弧的中点。
3.根据权利要求2所述的石墨基座，其特征在于，所述第一圆弧的圆心角大于或等于60°。
4.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的边缘上，最靠近所述石墨基座设有所述多个凹槽的圆形底面的中心的点为所述第二圆弧的中点。
5.根据权利要求4所述的石墨基座，其特征在于，所述第二圆弧的圆心角小于或等于300°。
6.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述第一圆弧的直径比所述第二圆弧的直径大0.1mm～2mm。
7.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述第一连接线为圆锥螺旋线在圆锥底面上的投影，所述第一连接线上的点与所述第一圆弧的圆心之间的距离从所述第一圆弧的半径逐渐减小至所述第二圆弧的半径。
8.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述第二连接线为圆锥螺旋线在圆锥底面上的投影，所述第二连接线上的点与所述第一圆弧的圆心之间的距离从所述第一圆弧的半径逐渐减小至所述第二圆弧的半径。
9.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，每个所述凹槽与所述石墨基座的圆形底面平行的截面的面积沿所述凹槽的延伸方向逐渐增大。
10.根据权利要求1～3任一项所述的石墨基座，其特征在于，每个所述凹槽的深度为700μm～800μm。
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