[发明专利]一种半导体晶圆扩晶工艺

摘要

本发明属于半导体封装技术领域，具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺，包括如下步骤：用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭；硅锭制造完成后，对硅锭进行切片得到晶圆，接着进行对晶圆磨片和倒角；晶圆磨片和倒角之后，对晶圆进行化学和超声波清洗；晶圆清洗过后，利用晶圆扩晶器进行扩晶，扩晶的同时进行贴蓝膜。本发明主要用于扩晶自动化生产，工艺流程简单不复杂，速度快且省力，芯片间距可调，扩晶后芯片间距一致，大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。

主权项

1.一种半导体晶圆扩晶工艺，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭；步骤二：步骤一中的硅锭制造完成后，对硅锭进行切片得到晶圆，接着进行对晶圆磨片和倒角；步骤三：步骤二中的晶圆磨片和倒角之后，对晶圆进行化学和超声波清洗；步骤四：步骤三中晶圆清洗过后，利用晶圆扩晶器进行扩晶，扩晶的同时进行贴蓝膜；所述步骤四中的晶圆扩晶器包括壳体(1)、伸缩气缸(2)、托盘(3)、蓝膜箱(4)、扩晶模块(5)、加热模块(6)和导正模块(7)，所述的壳体(1)为圆筒形；所述的伸缩气缸(2)安装在壳体(1)上顶部；所述的托盘(3)固定安装在壳体(1)的底部；所述的蓝膜箱(4)位于壳体(1)外壁的两侧，蓝膜箱(4)用于装蓝膜；所述的扩晶模块(5)安装在伸缩气缸(2)的下端，扩晶模块(5)用于对晶圆进行扩晶；所述的加热模块(6)安装在壳体(1)的内壁上，加热模块(6)用于对晶圆进行加热；所述的导正模块(7)用于将晶圆在托盘(3)上导正使晶圆处于托盘(3)的正中心。