[发明专利]一种半导体晶圆扩晶工艺

说明书

本发明属于半导体封装技术领域，具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺，包括如下步骤：用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭；硅锭制造完成后，对硅锭进行切片得到晶圆，接着进行对晶圆磨片和倒角；晶圆磨片和倒角之后，对晶圆进行化学和超声波清洗；晶圆清洗过后，利用晶圆扩晶器进行扩晶，扩晶的同时进行贴蓝膜。本发明主要用于扩晶自动化生产，工艺流程简单不复杂，速度快且省力，芯片间距可调，扩晶后芯片间距一致，大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体的说是一种半导体晶圆扩晶工艺。

背景技术

社会飞速发展，人工成本不断高涨，自动化已经是所有企业高度关注的话题，在半导体封装技术领域中，全自动粘片机已经普及到各生产厂家，国内生产全自动粘片机的厂家也应运而生。但因国内的设备水平无法做到如国外的ASM等生产的全自动粘片机的速度、精度、功能高度集成等要求，更重要的是进口设备价格非常昂贵，一台设备动辄也是上百万的投资，对于中小封装企业而言，成本太高，只能购买国内厂家生产的全自动粘片机。由于国内全自动粘片机的规模生产起步晚，软件和硬件的设计能力不足，设备的集成功能远远达不到进口设备的要求，无法实现晶圆的自动扩晶功能，而是采取先进行手动扩晶，然后用吹风机加热，最后用拉升的办法来进行晶圆扩晶，这种操作方法不仅效率低下，操作不小心导致芯片边缘绷边等问题，更重要的是晶圆在扩晶后，芯片不处于扩环的中央，芯片与芯片之间的间距宽窄不一，扩环放置在全自动粘片机上后，因扩环与晶圆边缘的距离不一致，往往导致漏识别芯片，撞顶针帽等问题。本发明重点解决了以上工艺生产中出现的问题，利用本发明实现扩晶自动化生产，工艺流程简单不复杂，速度快且省力，芯片间距可调，扩晶后芯片间距一致，大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种半导体晶圆扩晶工艺，本发明主要用于扩晶自动化生产，工艺流程简单不复杂，速度快且省力，芯片间距可调，扩晶后芯片间距一致，大大提高扩晶的效率和扩晶的产品质量。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体晶圆扩晶工艺，包括如下步骤：

步骤一：用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭；

步骤二：步骤一中的硅锭制造完成后，对硅锭进行切片得到晶圆，接着进行对晶圆磨片和倒角；

步骤三：步骤二中的晶圆磨片和倒角之后，对晶圆进行化学和超声波清洗；

步骤四：步骤三中晶圆清洗过后，利用晶圆扩晶器进行扩晶，扩晶的同时进行贴蓝膜；

所述步骤四中的晶圆扩晶器包括壳体、伸缩气缸、托盘、蓝膜箱、扩晶模块、加热模块和导正模块，所述的壳体为圆筒形；所述的伸缩气缸安装在壳体上顶部；所述的托盘固定安装在壳体的底部；所述的蓝膜箱位于壳体外壁的两侧，蓝膜箱用于装蓝膜；所述的扩晶模块安装在伸缩气缸的下端，扩晶模块用于对晶圆进行扩晶；所述的加热模块安装在壳体的内壁上，加热模块用于对晶圆进行加热；所述的导正模块用于将晶圆在托盘导正使晶圆处于托盘的正中心。