[发明专利]一种半导体晶圆扩晶工艺

权利要求书

1.一种半导体晶圆扩晶工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：用直拉单晶制造法得到掺有杂质的硅锭；

步骤二：步骤一中的硅锭制造完成后，对硅锭进行切片得到晶圆，接着进行对晶圆磨片和倒角；

步骤三：步骤二中的晶圆磨片和倒角之后，对晶圆进行化学和超声波清洗；

步骤四：步骤三中晶圆清洗过后，利用晶圆扩晶器进行扩晶，扩晶的同时进行贴蓝膜；

所述步骤四中的晶圆扩晶器包括壳体(1)、伸缩气缸(2)、托盘(3)、蓝膜箱(4)、扩晶模块(5)、加热模块(6)和导正模块(7)，所述的壳体(1)为圆筒形；所述的伸缩气缸(2)安装在壳体(1)上顶部；所述的托盘(3)固定安装在壳体(1)的底部；所述的蓝膜箱(4)位于壳体(1)外壁的两侧，蓝膜箱(4)用于装蓝膜；所述的扩晶模块(5)安装在伸缩气缸(2)的下端，扩晶模块(5)用于对晶圆进行扩晶；所述的加热模块(6)安装在壳体(1)的内壁上，加热模块(6)用于对晶圆进行加热；所述的导正模块(7)用于将晶圆在托盘(3)上导正使晶圆处于托盘(3)的正中心。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆扩晶工艺，其特征在于：所述的扩晶模块(5)包括扩晶圆盘(51)、圆环块(52)、弹簧一(53)、锥齿轮一(54)、锥齿轮二(55)、刀片(56)、转动轴(57)、扭簧和绳子(58)，所述的扩晶圆盘(51)安装在伸缩气缸(2)的下端；所述的圆环块(52)设有凹槽一，扩晶圆盘(51)位于圆环块(52)的凹槽一内，圆环块(52)还开设有圆环形空心腔室；所述的弹簧一(53)的一端连接在扩晶圆盘(51)上，弹簧一(53)的另一端安装在圆环块(52)的凹槽一内；所述的锥齿轮一(54)位于圆环块(52)的圆环形空心腔室内，锥齿轮一(54)通过转动轴(57)安装在圆环块(52)上；所述的锥齿轮二(55)和锥齿轮一(54)啮合，锥齿轮二(55)是圆环形，锥齿轮二(55)位于圆环形空心腔室内；所述的扭簧的一端安装在转动轴(57)上，扭簧的另一端固定在圆环块(52)的圆环形空心腔室内；所述的绳子(58)一端固定在转动轴(57)上，绳子(58)绕在转动轴(57)上，绳子(58)的另一端连接在扩晶圆盘(51)上；所述的刀片(56)安装在锥齿轮二(55)上。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆扩晶工艺，其特征在于：所述的扩晶圆盘(51)包括圆盘一(511)、圆盘二(512)、导杆一(513)、导杆二(514)、弹簧二(515)和套筒(516)，所述的圆盘一(511)固定安装在伸缩气缸(2)下端；所述的导杆一(513)安装在圆盘一(511)的下表面，导杆一(513)上设有凸块一；所述的弹簧二(515)的一端和凸块一固定连接；所述的圆盘二(512)位于圆盘一(511)的正下方；所述的导杆二(514)安装在圆盘二(512)的上表面，导杆二(514)上设有凸块二，弹簧二(515)的另一端和凸块二固定连接；所述的套筒(516)活动安装在导杆一(513)和导杆二(514)上。