[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810525613.5 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108923256A | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 胡海;何晋国 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞波光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/022 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区西丽镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体激光器件及其制作方法。该半导体激光器件包括：半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；第一绝缘保护层，设置在半导体芯片的侧面上，用于覆盖第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的侧面；焊料层，第一金属层设置在焊料层上；其中，第一绝缘保护层用于隔绝焊料层和第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的接触。通过上述方式，本申请能够提高半导体激光器件的成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 半导体激光器件 第一金属层 第二金属层 焊料层 半导体芯片 绝缘保护层 依次层叠 侧面 成品率 申请 制作 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其特征在于，所述半导体激光器件包括：半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；第一绝缘保护层，设置在所述半导体芯片的侧面上，用于覆盖所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的侧面；焊料层，所述第一金属层设置在所述焊料层上；其中，所述第一绝缘保护层用于隔绝所述焊料层和所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的接触。
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