[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器件，其特征在于，所述半导体激光器件包括：

半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；

第一绝缘保护层，设置在所述半导体芯片的侧面上，用于覆盖所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的侧面；

焊料层，所述第一金属层设置在所述焊料层上；

其中，所述第一绝缘保护层用于隔绝所述焊料层和所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的接触。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述半导体激光器件包括：

第二绝缘保护层，设置在所述第一金属层远离所述第一半导体层的一表面上；

其中，所述第二绝缘保护层与所述第一绝缘保护层为一体结构。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述半导体芯片还包括：

电流阻挡层，设置在所述第一金属层与所述第一半导体层之间，用于至少部分覆盖所述第一金属层。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，所述半导体激光器件还包括：

热沉，包括依次层叠设置的第一电极和热沉基板；

其中，所述焊料层设置在所述第一电极远离所述热沉基板的一侧，所述第一电极通过所述焊料层与所述第一金属层电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器件，其特征在于，所述热沉还包括：

第二电极，设置在所述热沉基板上；

其中，第二电极通过引线与所述第二金属层电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其特征在于，

所述第一金属层采用P面金属材料制成，所述第一半导体层采用P-掺杂的半导体材料制成；

所述第二金属层采用N面金属材料制成，所述第二半导体层采用N-掺杂的半导体材料制成。

7.一种半导体激光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体芯片，所述半导体芯片包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；

在所述半导体芯片的侧面设置一第一绝缘保护层，其中，所述第一绝缘保护层覆盖所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的侧面；

提供一焊料层；

在所述焊料层上设置所述半导体芯片和所述第一绝缘保护层，其中，所述第一金属层设置在所述焊料层上；

其中，所述第一绝缘保护层隔绝所述焊料层和所述第一金属层、所述第一半导体层、所述PN结层、所述第二半导体层以及所述第二金属层的接触。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述提供一焊料层步骤之前，所述制作方法还包括：

在所述第一金属层远离所述第一半导体层的一表面上设置第二绝缘保护层；

其中，所述第二绝缘保护层与所述第一绝缘保护层为一体结构。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

提供一热沉；

利用所述焊料层连接所述半导体芯片与所述热沉；

其中，所述热沉包括依次层叠设置的第一电极和热沉基板，所述第一电极通过所述焊料层与所述第一金属层电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器件，其特征在于，所述热沉还包括设置在所述热沉基板上的第二电极，所述制作方法还包括：

利用引线电连接所述第二电极与所述第二金属层。