[发明专利]一种半导体激光器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种半导体激光器件及其制作方法。该半导体激光器件包括：半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；第一绝缘保护层，设置在半导体芯片的侧面上，用于覆盖第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的侧面；焊料层，第一金属层设置在焊料层上；其中，第一绝缘保护层用于隔绝焊料层和第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的接触。通过上述方式，本申请能够提高半导体激光器件的成品率和可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体器件制造领域，特别是涉及一种半导体激光器件及其制作方法。

背景技术

由于芯片与焊料烧结的过程是在高温条件下，因此芯片上的金属和焊料会发生融合，焊料处于熔融状态，芯片由于重力作用或者外部加压力下沉，这个过程中，焊料往往被挤压、在芯片两侧溢出，而焊料被挤出部分，往往堆积在芯片的两侧，堆积的高度大于芯片PN结位置，从而导致芯片侧壁的N型半导体区域和焊料直接接触；由于焊料是导电材料，致使芯片P面金属电极和N面金属电极通过焊料和N型半导体区域连接，造成短路，芯片报废。

申请内容

本申请主要解决的问题是提供一种半导体激光器件及其制作方法，能够有效地防止焊料层与第二金属层、第二半导体层的直接接触，避免了第一金属层与第二金属层连通而造成的芯片短路问题，提高了半导体激光器件的成品率和可靠性。

为解决上述技术问题，本申请采用的技术方案是提供一种半导体激光器件，该半导体激光器件包括：半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；第一绝缘保护层，设置在半导体芯片的侧面上，用于覆盖第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的侧面；焊料层，第一金属层设置在焊料层上；其中，第一绝缘保护层用于隔绝焊料层和第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的接触。

其中，该半导体激光器件包括：第二绝缘保护层，设置在第一金属层远离第一半导体层的一表面上；其中，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层为一体结构。

其中，该半导体芯片还包括：电流阻挡层，设置在第一金属层与第一半导体层之间，用于至少部分覆盖第一金属层。

其中，该半导体激光器件还包括：热沉，包括依次层叠设置的第一电极和热沉基板；其中，焊料层设置在第一电极远离热沉基板的一侧，第一电极通过焊料层与第一金属层电连接。

其中，该热沉还包括：第二电极，设置在热沉基板上；其中，第二电极通过引线与第二金属层电连接。

其中，第一金属层采用P面金属材料制成，第一半导体层采用P-掺杂的半导体材料制成；第二金属层采用N面金属材料制成，第二半导体层采用N-掺杂的半导体材料制成。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一技术方案是一种半导体激光器件的制作方法，该制作方法包括：提供一半导体芯片，该半导体芯片包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；在半导体芯片的侧面设置一第一绝缘保护层，其中，第一绝缘保护层覆盖第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的侧面；提供一焊料层；在焊料层上设置半导体芯片和第一绝缘保护层，其中，第一金属层设置在焊料层上；其中，第一绝缘保护层隔绝焊料层和第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的接触。

其中，在提供一焊料层步骤之前，该制作方法还包括：在第一金属层远离第一半导体层的一表面上设置第二绝缘保护层；

其中，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层为一体结构。

其中，该制作方法还包括：提供一热沉；利用焊料层连接半导体芯片与热沉；其中，该热沉包括依次层叠设置的第一电极和热沉基板，第一电极通过焊料层与第一金属层电连接。