[发明专利]溅射装置有效
| 申请号： | 201810521449.0 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108977779B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 藤井佳词;中村真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50;C23C14/56 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可尽量减少附着在成膜对象物表面的颗粒数量的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有：真空室(1)，设置有碳材质的靶(2)；真空泵(Vp)，将真空室抽真空；以及台架(4)，在真空室内保持成膜对象物(W)，在真空泵将真空室内抽真空到规定压力后，通过溅射靶在成膜对象物表面形成碳膜，其特征在于，溅射装置还具有表面冷却到123K以下的温度的吸附体(7)，吸附体设置在防止对成膜对象物进行辐射的真空室内的规定位置。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，具有：真空室，设置有碳材质的靶；真空泵，将真空室抽真空；以及台架，在真空室内保持成膜对象物；在真空泵将真空室内抽真空到规定压力后，通过溅射靶在成膜对象物表面形成碳膜，所述溅射装置的特征在于：所述溅射装置还具有表面冷却到123K以下温度的吸附体，吸附体设置在防止对成膜对象物进行辐射的真空室内的规定位置上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810521449.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用高能离子体在真空状态下撞击目标靶材的设备
- 下一篇：溅射装置
- 同类专利
- 专利分类
