[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201810516498.5 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108987386A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 内藤达也 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/423;H01L27/06;H01L23/544;H01L21/331;H01L29/49 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张欣;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供半导体装置,如果考虑到电气导通试验的容易性等,则优选主要设置于有源区的上方的电极在同一平面内连接。所述半导体装置具备:半导体基板;第一上表面电极和第二上表面电极,设置于半导体基板的上表面的上方,且具有金属材料;以及第一连接部,与第一上表面电极电连接,且包含半导体材料,第二上表面电极包括:第一区域和第二区域,在俯视半导体基板时以第一连接部为交界分离地配置;以及第二连接部,在第一连接部的上方,将第一区域和第二区域连接。 | ||
搜索关键词: | 上表面电极 半导体基板 半导体装置 第一连接部 第二区域 第一区域 半导体材料 第二连接部 金属材料 电气导通 电连接 内连接 上表面 电极 源区 优选 俯视 交界 试验 配置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体基板;设置于所述半导体基板的上表面的上方且具有金属材料的第一上表面电极和第二上表面电极;以及与所述第一上表面电极电连接且包含半导体材料的第一连接部,所述第二上表面电极包括:在俯视所述半导体基板时以所述第一连接部为交界而分离地配置的第一区域和第二区域;以及在所述第一连接部的上方将所述第一区域和所述第二区域连接的第二连接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的