[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810516498.5 申请日: 2018-05-25
公开(公告)号: CN108987386A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 内藤达也 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/423;H01L27/06;H01L23/544;H01L21/331;H01L29/49
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张欣;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体装置,如果考虑到电气导通试验的容易性等,则优选主要设置于有源区的上方的电极在同一平面内连接。所述半导体装置具备:半导体基板;第一上表面电极和第二上表面电极,设置于半导体基板的上表面的上方,且具有金属材料;以及第一连接部,与第一上表面电极电连接,且包含半导体材料,第二上表面电极包括:第一区域和第二区域,在俯视半导体基板时以第一连接部为交界分离地配置;以及第二连接部,在第一连接部的上方,将第一区域和第二区域连接。
搜索关键词: 上表面电极 半导体基板 半导体装置 第一连接部 第二区域 第一区域 半导体材料 第二连接部 金属材料 电气导通 电连接 内连接 上表面 电极 源区 优选 俯视 交界 试验 配置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体基板;设置于所述半导体基板的上表面的上方且具有金属材料的第一上表面电极和第二上表面电极;以及与所述第一上表面电极电连接且包含半导体材料的第一连接部,所述第二上表面电极包括:在俯视所述半导体基板时以所述第一连接部为交界而分离地配置的第一区域和第二区域;以及在所述第一连接部的上方将所述第一区域和所述第二区域连接的第二连接部。
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