[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供半导体装置，如果考虑到电气导通试验的容易性等，则优选主要设置于有源区的上方的电极在同一平面内连接。所述半导体装置具备：半导体基板；第一上表面电极和第二上表面电极，设置于半导体基板的上表面的上方，且具有金属材料；以及第一连接部，与第一上表面电极电连接，且包含半导体材料，第二上表面电极包括：第一区域和第二区域，在俯视半导体基板时以第一连接部为交界分离地配置；以及第二连接部，在第一连接部的上方，将第一区域和第二区域连接。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知在同一半导体基板上具有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)区和续流二极管(FWD)区的半导体装置(例如，参照专利文献1和2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-258406号公报

专利文献2：日本特开2008-235405号公报

发明内容

技术问题

如果考虑到电气特性试验的容易性等，优选主要设置于有源区的上方的电极在同一平面内连接。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板、第一上表面电极和第二上表面电极、第一连接部。第一上表面电极和第二上表面电极可以设置于半导体基板的上表面的上方。第一上表面电极和第二上表面电极可以具有金属材料。第一连接部可以与第一上表面电极电连接。第一连接部可以包含半导体材料。第二上表面电极可以包括第一区域和第二区域以及第二连接部。第一区域和第二区域可以在俯视半导体基板时以第一连接部为交界分离地配置。第二连接部可以在第一连接部的上方将第一区域和第二区域连接。

第一连接部可以具有栅极桥接沟槽部。栅极桥接沟槽部可以设置为从半导体基板的上表面起到预先确定的深度。栅极桥接沟槽部可以位于第二连接部的下方。栅极桥接沟槽部可以与第一上表面电极电连接。

第一上表面电极可以包含金属布线层。金属布线层可以在俯视半导体基板时至少在第二连接部的位置分离。金属布线层可以与栅极桥接沟槽部电连接。

半导体装置还可以具备第一沟槽部和第二沟槽部。第一沟槽部和第二沟槽部可以分别设置为从半导体基板的上表面起到预先确定的深度位置。第一沟槽部可以与第一上表面电极电连接。第二沟槽部可以与第二上表面电极电连接。栅极桥接沟槽部的宽度可以比第二沟槽部的宽度和第一沟槽部的宽度中的任一者都大。栅极桥接沟槽部的宽度可以是在俯视半导体基板时与作为第一连接部的延伸方向的第一方向正交的第二方向上的宽度。第二沟槽部的宽度可以是第一方向上的宽度。第一沟槽部的宽度可以是第一方向上的宽度。

第一连接部可以包含多个栅极桥接沟槽部。多个栅极桥接沟槽部可以在第二方向上彼此分离地设置。第二方向可以是在俯视半导体基板时与作为第一连接部的延伸方向的第一方向正交的方向。

第一连接部可以包括被设置为在俯视半导体基板时呈环状的栅极桥接沟槽部。

在本发明的第二方式中，提供一种半导体装置。第一连接部可以是多晶硅布线层。第一连接部可以设置于半导体基板的上表面的上方。多晶硅布线层还可以设置于第二连接部的下方。

第一上表面电极可以是栅电极。第二上表面电极可以是发射电极。

半导体装置可以具有有源区。有源区可以包括晶体管区和续流二极管区。第二连接部可以在沿第二方向彼此分离的至少两个续流二极管区之间，将第一区域和第二区域连接。第二方向可以是在俯视半导体基板时与作为第一连接部的延伸方向的第一方向正交的方向。

第二连接部在第一方向上的宽度可以比一个续流二极管区在第一方向上的宽度小。