[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

设置于所述半导体基板的上表面的上方且具有金属材料的第一上表面电极和第二上表面电极；以及

与所述第一上表面电极电连接且包含半导体材料的第一连接部，

所述第二上表面电极包括：

在俯视所述半导体基板时以所述第一连接部为交界而分离地配置的第一区域和第二区域；以及

在所述第一连接部的上方将所述第一区域和所述第二区域连接的第二连接部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部具有栅极桥接沟槽部，所述栅极桥接沟槽部设置为从所述半导体基板的所述上表面起到预先确定的深度，且位于所述第二连接部的下方，与所述第一上表面电极电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一上表面电极包含金属布线层，所述金属布线层在俯视所述半导体基板时至少在所述第二连接部的位置分离，

所述金属布线层与所述栅极桥接沟槽部电连接。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备与所述第一上表面电极电连接的第一沟槽部和与所述第二上表面电极电连接的第二沟槽部，所述第一沟槽部和所述第二沟槽部分别设置为从所述半导体基板的所述上表面起到预先确定的深度位置，

所述栅极桥接沟槽部在第二方向上的宽度比所述第二沟槽部在第一方向上的宽度和所述第一沟槽部在第一方向上的宽度中的任一者都大，所述第二方向是在俯视所述半导体基板时与作为所述第一连接部的延伸方向的第一方向正交的方向。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部包括在第二方向上彼此分离地设置的多个所述栅极桥接沟槽部，所述第二方向是在俯视所述半导体基板时与作为所述第一连接部的延伸方向的第一方向正交的方向。

6.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部包括被设置为在俯视所述半导体基板时呈环状的所述栅极桥接沟槽部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一连接部是设置于所述半导体基板的所述上表面的上方的多晶硅布线层，

所述多晶硅布线层还设置于所述第二连接部的下方。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第一上表面电极为栅电极，

所述第二上表面电极为发射电极。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有包括晶体管区和续流二极管区的有源区，

所述第二连接部在沿第二方向彼此分离的至少两个所述续流二极管区之间，将所述第一区域和所述第二区域连接，所述第二方向是在俯视所述半导体基板时与作为所述第一连接部的延伸方向的第一方向正交的方向。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第二连接部在所述第一方向上的宽度比一个所述续流二极管区在所述第一方向上的宽度小。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，在所述第二方向上彼此分离的多个所述续流二极管区中的至少两个所述续流二极管区之间，不设置将所述第一区域和所述第二区域连接的所述第二连接部。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基板具有上表面控制区，所述上表面控制区在沿所述第二方向彼此分离的所述续流二极管区之间设置于距离所述上表面预先确定的深度范围，且调整空穴的寿命，

未设置所述第二连接部的区域中的所述上表面控制区在所述第一方向上的宽度比设置有所述第二连接部的区域中的所述上表面控制区在所述第一方向上的宽度大。