[发明专利]存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810512816.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110534150B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 颜英竹;张维哲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C21/00 | 分类号： | G11C21/00;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种存储器装置及其制造方法，其中存储器装置的制造方法，该方法包含形成氧化物层于半导体基底上，形成隔离结构于半导体基底和氧化物层中，隔离结构定义出主动区，形成字线和位线于半导体基底中，其中位线位于字线上方，移除氧化物层，形成凹陷部位于隔离结构与位线之间，以及形成储存节点接点于凹陷部内。此外，由俯视观之，存储器装置包含的储存节点接点与相对应的主动区重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：/n形成一氧化物层于一半导体基底上；/n形成一隔离结构于该半导体基底和该氧化物层中，该隔离结构定义出一主动区；/n形成一字线和一位线于该半导体基底中，其中该位线位于该字线上方；/n移除部分该氧化物层，以形成一凹陷部位于该隔离结构与该位线之间；以及/n形成一储存节点接点于该凹陷部内。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810512816.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
